[实用新型]半导体紫外光光电检测器和紫外辐射检测系统

摘要

本公开涉及半导体紫外光光电检测器和紫外辐射检测系统。一种光电检测器形成在由N型的第一外延层和P型的第二外延层形成的碳化硅主体中。第一和第二外延层布置在彼此上，并且形成包括突出部分、倾斜侧部和边缘部分的主体表面。绝缘边缘区域在倾斜侧部和边缘部分之上延伸。阳极区域由第二外延层形成并且由突出部分和倾斜侧部界定。第一外延层在阳极区域下方形成阴极区域。具有高于第一外延层的掺杂水平的N型的掩埋区域在与倾斜侧部以及边缘区域相距一定距离处在突出部分下方在阳极和阴极区域之间延伸。

主权项

1.一种半导体紫外光光电检测器，其特征在于，包括：/n碳化硅的主体，包括具有第一导电类型的第一外延层以及具有第二导电类型并且被设置在所述第一外延层顶部的第二外延层；所述主体具有非平面主体表面，包括突出部分、倾斜侧部和边缘部分；/n介电材料的边缘区域，在所述主体表面的所述倾斜侧部和所述边缘部分之上延伸；/n阳极区域，具有所述第二导电类型并且由所述第二外延层形成，所述阳极区域由所述主体表面的所述突出部分和所述倾斜侧部界定并且被配置为接收紫外光；/n阴极区域，具有所述第一导电类型和第一掺杂水平，由在所述阳极区域下方的所述第一外延层形成；以及/n掩埋区域，具有所述第一导电类型和高于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平，在所述阳极区域与所述阴极区域之间延伸，所述掩埋区域位于所述主体表面的所述突出部分下方并且与所述主体表面的所述倾斜侧部以及所述边缘区域隔开。/n