[实用新型]一种用于干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的前驱体有效

专利信息
申请号: 201920269124.8 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN209373172U 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 姜校顺;顾佳新;程欣宇;李冠宇;肖敏 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G02B6/136 分类号: G02B6/136;G02B6/13
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种用于干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的前驱体,所述前驱体包括由硅基底依次叠加的二氧化硅层、非晶硅或氮化硅层以及光刻胶层。通过所述前驱体制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大,且具有超高的品质因子。
搜索关键词: 二氧化硅 前驱体 微盘 干法蚀刻 制备 本实用新型 二氧化硅层 氮化硅层 光刻胶层 品质因子 前驱体制 依次叠加 非晶硅 硅基
【主权项】:
1.一种用于干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的前驱体,其特征在于,所述前驱体包括由硅基底依次叠加的二氧化硅层、非晶硅或氮化硅层以及光刻胶层。
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