[发明专利]闪存器件的制作方法

摘要

本申请公开了一种闪存器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层、ONO结构、控制栅层；形成硬掩膜层，在硬掩膜层打开第一栅极窗口；沉积间隔氧化层，根据沟道长度在间隔氧化层刻蚀出字线窗口；去除控制栅层、ONO结构；沉积氮化硅层并刻蚀露出浮栅层；根据第二栅极的高度降低间隔氧化层的高度；去除露出的浮栅层、隧穿氧化层；沉积多晶硅，进行CMP直到露出硬掩膜层形成字线；根据第二栅极的高度刻蚀字线的头部，刻蚀后的字线的高度与第二栅极的高度相等；解决了现有嵌入式闪存器件制作过程中容易损坏存储单元区域的问题；达到了降低闪存器件中存储单元区域的高度，优化工艺的效果。