[发明专利]闪存器件的制作方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有隧穿氧化层、浮栅层、ONO结构、控制栅层，所述衬底包括存储单元区域和外围区域，所述存储单元区域用于制作第一栅极，所述外围区域用于制作第二栅极；

形成硬掩膜层，并在所述硬掩膜层打开第一栅极窗口；

沉积间隔氧化层，并根据沟道长度在所述间隔氧化层刻蚀出字线窗口；

依次去除所述字线窗口下的控制栅层、ONO结构；

沉积氮化硅层，并刻蚀所述氮化硅层露出浮栅层；

根据所述第二栅极的高度，通过刻蚀工艺降低所述间隔氧化层的高度；

依次去除露出的浮栅层、隧穿氧化层；

沉积多晶硅，并进行CMP直到露出硬掩膜层，形成字线；

根据所述第二栅极的高度，刻蚀所述字线的头部，刻蚀后的字线的高度与所述第二栅极的高度相等。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除所述硬掩膜层；

形成所述第一栅极的栅极侧墙。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积多晶硅，并进行CMP直到露出硬掩膜层，形成字线之前，还包括：

沉积氧化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二栅极的高度，通过刻蚀工艺降低间隔氧化层的高度，包括：

根据所述第二栅极的高度，通过湿法刻蚀工艺降低所述间隔氧化层的高度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储单元区域和外围区域有浅沟槽隔离。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮栅层和所述控制栅的材料为多晶硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ONO结构由氧化层、氮化硅层、氧化层自下而上堆叠形成。

8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。