[发明专利]闪存器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种闪存器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层、ONO结构、控制栅层；形成硬掩膜层，在硬掩膜层打开第一栅极窗口；沉积间隔氧化层，根据沟道长度在间隔氧化层刻蚀出字线窗口；去除控制栅层、ONO结构；沉积氮化硅层并刻蚀露出浮栅层；根据第二栅极的高度降低间隔氧化层的高度；去除露出的浮栅层、隧穿氧化层；沉积多晶硅，进行CMP直到露出硬掩膜层形成字线；根据第二栅极的高度刻蚀字线的头部，刻蚀后的字线的高度与第二栅极的高度相等；解决了现有嵌入式闪存器件制作过程中容易损坏存储单元区域的问题；达到了降低闪存器件中存储单元区域的高度，优化工艺的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种闪存器件的制作方法。

背景技术

快闪存储器(以下简称“闪存”)是一种采用非易失性存储(Non-volatile Memory，NVM)技术的存储器，其主要特点在于：容量相对较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，断电后仍能保存数据。

在嵌入式闪存中，存储单元区域一般要比外围区域高800至1000A，这个高度差会给后续工艺带来诸多问题，比如：有效面积的差异导致存储单元区域比外围区域的层间介质层厚度薄，在对层间介质层进行CMP(chemical mechanical polishing，化学机械平坦化)时，可能会穿透层间介质层，损伤闪存单元，进而影响闪存器件的良率。

发明内容

为了解决相关技术的问题，本申请提供了一种闪存器件的制作方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种闪存器件的制作方法，该方法包括：

提供一衬底，衬底上依次形成有隧穿氧化层、浮栅层、ONO结构、控制栅层，衬底包括存储单元区域和外围区域，存储单元区域用于制作第一栅极，外围区域用于制作第二栅极；

形成硬掩膜层，并在硬掩膜层打开第一栅极窗口；

沉积间隔氧化层，并根据沟道长度在间隔氧化层刻蚀出字线窗口；

依次去除字线窗口下的控制栅层、ONO结构；

沉积氮化硅层，并刻蚀氮化硅层露出浮栅层；

根据第二栅极的高度，通过刻蚀工艺降低间隔氧化层的高度；

依次去除露出的浮栅层、隧穿氧化层；

沉积多晶硅，并进行CMP直到露出硬掩膜层，形成字线；

根据第二栅极的高度，刻蚀字线的头部，刻蚀后的字线的高度与第二栅极的高度相等。

可选的，该方法还包括：

去除硬掩膜层；

形成第一栅极的栅极侧墙。

可选的，沉积多晶硅，并进行CMP直到露出硬掩膜层，形成字线之前，还包括：

沉积氧化层。

可选的，根据第二栅极的高度，通过刻蚀工艺降低间隔氧化层的高度，包括：

根据第二栅极的高度，通过湿法刻蚀工艺降低间隔氧化层的高度。

可选的，存储单元区域和外围区域有浅沟槽隔离。

可选的，浮栅层和控制栅的材料为多晶硅。

可选的，ONO结构由氧化层、氮化硅层、氧化层自下而上堆叠形成。

可选的，氧化层的材料为二氧化硅。

可选的，硬掩膜层的材料为氮化硅。

本申请技术方案，至少包括如下优点：