[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911372803.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111710724B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 泽部智明;齐藤信美;片冈淳司;上田知正;池田圭司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H10B12/00;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。一个方案的半导体装置具备：第1、第2电极、半导体沟道、绝缘层、氧化物层及栅电极。半导体沟道包括沿着第1方向延伸的部分，将所述第1、第2电极连接。绝缘层包围所述半导体沟道。氧化物层包围半导体沟道及所述绝缘层，且包含金属元素的氧化物。栅电极包围半导体沟道、所述绝缘层及所述氧化物层，且包含所述金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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