“上田知正”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果33个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911372803.9有效
发明人：泽部智明;齐藤信美;片冈淳司;上田知正;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。一个方案的半导体装置具备：第1、第2电极、半导体沟道、绝缘层、氧化物层及栅电极。半导体沟道包括沿着第1方向延伸的部分，将所述第1、第2电极连接。绝缘层包围所述半导体沟道。氧化物层包围半导体沟道及所述绝缘层，且包含金属元素的氧化物。栅电极包围半导体沟道、所述绝缘层及所述氧化物层，且包含所述金属元素。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置与半导体存储装置-CN202110702228.5在审
发明人：佐藤祐太;上田知正;齐藤信美;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层，包括第1区域、第2区域、及第1区域与第2区域之间的第3区域；栅极电极；栅极绝缘层，设置于第3区域与栅极电极之间；第1电极，电连接于第1区域；第2电极，电连接于第2区域；第1导电层，设置于第1区域与第1电极之间及第2区域与第2电极之间的至少一者的位置，且包括氧(O)及氮(N)的至少任一个元素、及第1金属元素；及第2导电层，设置于氧化物半导体层与第1导电层之间，且包括氧(O)、及选自由铟(In)、锌(Zn)、锡(Sn)、及镉(Cd)所组成的群中的至少一个元素，且厚度比第1导电层的厚度更厚。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202110102182.3在审
发明人：佐藤祐太;上田知正;齐藤信美;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1电极；第2电极，其与衬底之间设置着第1电极；氧化物半导体层，设置在第1电极与第2电极之间，与第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和第1电极及第2电极不同；导电层，设置在氧化物半导体层与第2电极之间，与第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少一种第2元素和氧(O)，化学组成和第1电极、第2电极及氧化物半导体层不同；栅极电极；以及栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202110220032.2在审
发明人：片冈淳司;上田知正;郑述述;齐藤信美;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置包括：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间；第1电极，电连接在氧化物半导体层的第1位置；第2电极，电连接在氧化物半导体层的相对于第1位置位于第1方向的第2位置；第1导电层，设置在氧化物半导体层与第1电极之间、及氧化物半导体层与第2电极之间的至少任一位置，且含有氧(O)及氮(N)中的至少任一元素、第1金属元素、以及与第1金属元素不同的第1元素；以及第2导电层，设置在氧化物半导体层与第1导电层之间，且含有与第1金属元素及第1元素不同的第2元素、及氧(O)；栅极电极的隔着栅极绝缘层而与氧化物半导体层对向的部分的第1方向的位置位于第1位置与第2位置之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202010699668.5在审
发明人：服部繁树;上田知正;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。根据一个实施方式，实施方式的半导体装置具备：第1氧化物半导体层，具有第1区域、第2区域、及第1区域与第2区域之间的第3区域；栅电极；栅极绝缘层，设置在第3区域与栅电极之间；第1电极，与第1区域电连接；第2电极，与第2区域电连接；及第2氧化物半导体层，设置在第1区域与第1电极之间、及第2区域与第2电极之间中至少一处，包含铟(In)、铝(Al)及锌(Zn)，且铝相对于铟、铝及锌的总和的原子比为8％以上23％以下，铟相对于铟、铝及锌的总和的原子比为45％以下。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN201911370833.6在审
发明人：服部繁樹;上田知正;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请案涉及一种半导体装置及半导体存储装置。根据一实施方式，半导体存储装置具备：氧化物半导体层，包含铟(In)、铝(Al)、及锌(Zn)，且铝相对于铟、铝、及锌的总和的原子比为8％以上23％以下；栅极电极；及栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储

[发明专利]显示设备及半导体设备-CN201410408858.1在审
发明人：齐藤信美;上田知正;前田雄也;三浦健太郎;中野慎太郎;坂野龙则;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示设备，包括第一电极、第二电极、有机发光层、第一晶体管、以及第二晶体管。该第一晶体管包括第一半导体层、第一导电单元、第二导电单元、第一栅电极、以及第一栅绝缘膜。该第二晶体管包括第二半导体层、第三导电单元、第四导电单元、第二栅电极、以及第二栅绝缘膜。该第一栅绝缘膜内包含的氢的量大于该第二栅绝缘膜内包含的氢的量。
显示设备半导体设备

[发明专利]半导体元件、显示设备、半导体元件显示设备的制造方法-CN201410432014.0无效
发明人：中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齐藤信美;坂野龙则;前田雄也;热田昌己;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了半导体元件、显示设备、半导体元件及显示设备的制造方法。一种半导体元件，包括半导体层、第一和第二导电单元、栅电极、和栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元、和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。
半导体元件显示设备制造方法

[发明专利]用于制造显示装置的方法及显示装置-CN201410073038.1无效
发明人：坂野龙则;三浦健太郎;上田知正;齐藤信美;中野慎太郎;前田雄也;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：根据一个实施例，本发明公开了制造显示装置的方法。所述方法可以包括将显示体接合于滤光体、照射光和分隔开。显示体包括第一支承单元和显示单元。第一支承单元包括第一基板、第一金属层和第一树脂层。显示单元具有第一区域和第二区域。滤光体包括第二支承单元和滤光单元。第二支承单元包括第二基板、第二金属层和第二树脂层。在接合时，显示单元和滤光单元被配置在第一基板和第二基板之间。光被照射到第一和第二金属层。第一基板从第一树脂层分隔开，并且第二基板从第二树脂层分隔开。
用于制造显示装置方法

[发明专利]显示器件、薄膜晶体管、显示器件的制造方法、以及薄膜晶体管的制造方法-CN201410078469.7无效
发明人：中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齐藤信美;坂野龙则;前田雄也;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据一个实施例，显示器件包括基板单元、薄膜晶体管、像素电极、以及显示层。基板单元包括基板、设置在基板上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。薄膜晶体管设置在基板单元上，并且包括设置在第二绝缘层上的栅电极、与栅电极分开的具有氧化物的半导体层、设置在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘层、第一导电部分、第二导电部分、以及第三绝缘层。像素电极连接到选自第一和第二导电部分中的一个。显示层被配置成具有根据提供给像素电极的电荷而发生的光发射或者光学特性的变化。
显示器件薄膜晶体管制造方法以及

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410074863.3无效
发明人：中野慎太郎;上田知正;藤原郁夫;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：根据一个实施例，半导体器件包括具有上表面的基板、设置在上表面上的基础绝缘层、以及薄膜晶体管。薄膜晶体管包括第一栅电极、第一、第二、和第三绝缘层、半导体层、以及第一和第二导电层。第一栅电极设置在基础绝缘层的一部分上。第一绝缘层覆盖第一栅电极和基础绝缘层。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且具有第一、第二、和第三部分。半导体层与位于第三部分上的第二绝缘层接触，并且具有第四、第五部分、和第六部分。第一导电层与第四部分接触。第二导电层与第五部分接触。第三绝缘层覆盖半导体层的一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造显示元件的方法、显示元件及显示装置-CN201410074883.0无效
发明人：三浦健太郎;坂野龙则;上田知正;齐藤信美;中野慎太郎;前田雄也;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明根据一个实施例，公开了一种用于制造显示元件的方法。所述方法可以包括形成剥离层、形成树脂层、形成阻挡层、形成互连层、形成显示层以及去除。剥离层形成在基体的主表面上。主表面具有第一、第二和第三区域。剥离层包括第一、第二和第三剥离部分。树脂层形成在剥离层上。树脂层包括第一和第二树脂部分。阻挡层形成在第一、第二和第三剥离部分上。互连层形成在阻挡层上。显示层形成在互连层上。从第一树脂部分去除第一剥离部分，从第二树脂部分去除第二剥离部分。
用于制造显示元件方法显示装置

[发明专利]显示设备-CN201310082176.1无效
发明人：齐藤信美;上田知正;米原健矢;山口一;三浦健太郎;中野慎太郎;坂野龙则 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据一个实施例，显示设备包括：第一绝缘层、第二绝缘层、像素电极、发光层、相对电极、和像素电路。在该第一绝缘层上设置该第二绝缘层。在该第二绝缘层上设置该像素电极，且该像素电极是透光的。该发光层设置在该像素电极上。相对电极设置在发光层上。电路被设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间，该电路包括被提供有驱动电流的互连，且该电路被配置为向像素电极提供驱动电流。该电路连接至像素电极。当被投影到与第一绝缘层平行的平面上时，该互连具有覆盖该像素电极的第一区。该互连在该第一区内具有开口。
显示设备

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN201310082005.9无效
发明人：三浦健太郎;上田知正;齐藤信美;中野慎太郎;坂野龙则;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了显示设备及其制造方法。根据一个实施例，一种显示设备的制造方法包括以下步骤：设置第一基板单元的阴极以使其隔着中间层面向第二基板单元的阳极；以及将阴极隔着中间层接合到阳极。第一基板单元包括第一基板、设置在第一基板上的薄膜晶体管、以及连接到薄膜晶体管的阴极。薄膜晶体管是n沟道薄膜晶体管。第二基板单元包括第二基板以及设置在第二基板上的阳极。
显示设备及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201310052739.2无效
发明人：中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齐藤信美;坂野龙则;山口一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种显示装置包括衬底、薄膜晶体管、像素电极、有机发光层、公共电极和密封单元。在所述衬底上设置所述薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、第一导电部分和第二导电部分。所述像素电极电连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分之一。所述有机发光层设置在所述像素电极上。所述公共电极设置在所述有机发光层上。所述密封单元设置在所述公共电极上。该密封单元包括第一密封膜和第二密封膜。所述第二密封膜的折射率不同于所述第一密封膜的折射率。
显示装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 33 条