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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911372803.9有效
发明人：泽部智明;齐藤信美;片冈淳司;上田知正;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。一个方案的半导体装置具备：第1、第2电极、半导体沟道、绝缘层、氧化物层及栅电极。半导体沟道包括沿着第1方向延伸的部分，将所述第1、第2电极连接。绝缘层包围所述半导体沟道。氧化物层包围半导体沟道及所述绝缘层，且包含金属元素的氧化物。栅电极包围半导体沟道、所述绝缘层及所述氧化物层，且包含所述金属元素。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN202110220032.2在审
发明人： 片冈淳司;上田知正;郑述述;齐藤信美;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置包括：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间；第1电极，电连接在氧化物半导体层的第1位置；第2电极，电连接在氧化物半导体层的相对于第1位置位于第1方向的第2位置；第1导电层，设置在氧化物半导体层与第1电极之间、及氧化物半导体层与第2电极之间的至少任一位置，且含有氧(O)及氮(N)中的至少任一元素、第1金属元素、以及与第1金属元素不同的第1元素；以及第2导电层，设置在氧化物半导体层与第1导电层之间，且含有与第1金属元素及第1元素不同的第2元素、及氧(O)；栅极电极的隔着栅极绝缘层而与氧化物半导体层对向的部分的第1方向的位置位于第1位置与第2位置之间。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置-CN202110108855.6在审
发明人：河合宏树;片冈淳司;池田圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置(1)具备氧化物半导体层(5)。氧化物半导体层(5)具备金属氧化物，该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1金属元素、及选自由锌、镓、铝、钨、及硅所组成的群中的至少1个第2金属元素。氧化物半导体层(5)具备第1区域，该第1区域在相对于金属氧化物为1原子％以上且小于8原子％的范围内含有选自由氟及氯所组成的群中的至少1个阴离子元素。
半导体装置

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201210557218.8有效
发明人：薮原秀彦;广谷太志;片冈淳司;龟冈恒志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式，本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。
非易失性存储装置及其制造方法