[发明专利]一种MOSFET结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911355637.1 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035951A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 丁杰钦;周正东;施剑华;焦莎莎;罗烨辉;刘启军;周才能;马亚超;李诚瞻;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;C23C16/02;C23C16/24;C23C16/56;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;康志梅 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法和应用。该MOSFET结构包括具有沟槽的碳化硅晶圆，以及沉积于所述沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层，且沟槽底部的栅极氧化层厚度大于沟槽侧壁的栅极氧化层厚度。本发明的MOSFET结构能够避免底部栅极氧化层厚度偏薄导致器件提前击穿的问题，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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