[发明专利]一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法有效

专利信息
申请号: 201911349980.5 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN111153406B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 李加林;李斌;张红岩;高超;刘家朋;李长进 申请(专利权)人: 山东天岳先进科技股份有限公司
主分类号: C01B32/963 分类号: C01B32/963;F27B5/05;F27B5/16
代理公司: 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 代理人: 王宽
地址: 250118 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法,属于半导体材料制备领域。该碳化硅粉料合成炉,其包括炉体、坩埚组件和加热件,坩埚组件置于炉体形成的炉体腔内,其特征在于,坩埚组件包括坩埚和导流件,坩埚设置一级进气孔;导流件设置在坩埚形成的坩埚腔内,导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与二级进气孔连通的多个多孔导流管;进气板将坩埚腔分成缓冲腔和合成腔,原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔,并与合成腔内固体原料反应生成碳化硅粉料。该碳化硅粉料合成炉制得的碳化硅粉料的纯度高、粒度均匀,而且可以调节制得的碳化硅粉料的粒径。
搜索关键词: 一种 用于 制备 碳化硅 合成 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进科技股份有限公司,未经山东天岳先进科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911349980.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种膨胀碳化硅的制备方法-202310550372.0
  • 田兆波;杜松墨;李昊楠;曾航 - 深圳市宝硼新材料科技有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-09-05 - C01B32/963
  • 本发明涉及一种膨胀碳化硅的制备方法,包括步骤:S1、将碳模板添加至硅粉和含硅化合的混合液中,得到混合体系;混合均匀后去除所述混合介质得到含硅粉、含硅化合物以及碳模板的干燥混合物;所述碳模板为经过表面处理的碳模板;S2、将步骤S1所得干燥混合物置于保护气氛中进行反应1‑10h,得到含有碳化硅的粗制产品;然后从所述粗制产品中去除碳模板,得到膨胀碳化硅。本发明所述膨胀碳化硅的制备方法,将膨胀石墨的制备方法转用到制备具有膨胀形貌的碳化硅中,并得到了具有膨胀形貌的、纯度较好的膨胀碳化硅;制得的膨胀碳化硅具有疏松多孔的膨胀结构,有利于提升反应速率,并且能够用于制备片状碳化硅,拓展其在电子等领域的应用。
  • 一种氯基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气中C2+与氯硅烷FTrPSA分离方法-202011537651.6
  • 汪兰海;钟娅玲;钟雨明;陈运;唐金财;蔡跃明 - 浙江天采云集科技股份有限公司
  • 2020-12-23 - 2023-08-22 - C01B32/963
  • 本发明公开了一种氯基SiC‑CVD晶体与薄膜生长制程尾气中C2+与氯硅烷FTrPSA分离方法,通过预处理、氯硅烷喷淋吸收、中温变压吸附浓缩、浅冷油吸收、多级蒸发/压缩/冷凝、HCl精制与氯硅烷中浅冷精馏工序,将氯基SiC‑CVD晶体与外延薄膜生长制程尾气中的C2+与氯硅烷进行清晰分离与净化,并满足SiC‑CVD制程所需的前驱物‑C2+及氯硅烷原料要求而加以返回循环再利用,解决了氯基SiC‑CVD制程尾气中最难且最关键的分离与净化的技术瓶颈,使得尾气或提氢或全组分回收H2、C2+、HCl及氯硅烷并返回到SiC‑CVD制程中循环使用成为可能,既实现尾气的回收再利用,又减少了尾气排放,弥补了氯基SiC‑CVD晶体或薄膜生长制程尾气处理技术的空白。
  • 铜掺杂碳化硅复合吸波材料的制备方法-202211587781.X
  • 黄文欢;宋明;卢兴;康祎璠;张亚男;杨雨豪;赵宁 - 陕西科技大学
  • 2022-12-05 - 2023-05-26 - C01B32/963
  • 本发明公开了铜掺杂碳化硅复合吸波材料的制备方法,首先利用水热法合成了阴离子型有机金属框架材料,首先通过加热回流合成含有铜硅双金属的杂化晶态金属有机框架,再利用盐酸多巴胺PDA对材料进行包覆;通过调控多巴胺等物质的比例,实现聚合物晶态前驱体化学组成的调控,进一步将前驱体在900℃的高温下进行碳化处理,得到铜掺杂碳化硅复合碳材料。该材料在2.5mm时,反射损耗值达到‑43dB。在2.0mm时,有效吸收带宽为11.52GHz~17.92GHz,覆盖了整个Ku波段和部分X波段。在2.05mm时,有效吸收带宽为9.12GHz~14.75GHz,覆盖了整个X波段和部分Ku波段。
  • 一种碳化硅粉体的制备方法-202210031868.2
  • 黄辉;严想;张文魁;夏阳;张俊;甘永平;贺馨平 - 浙江工业大学
  • 2022-01-12 - 2023-05-26 - C01B32/963
  • 本发明属于碳化硅制备技术领域,具体涉及一种碳化硅粉体的常温制备方法。所述碳化硅粉体制备方法是以硅化镁和温室气体CO2为原料,在惰性气体保护下,将硅化镁置于密封球磨罐中,抽真空,通入5‑60bar压力的CO2气体,在室温条件下,以300‑1000r/min的转速,球磨反应6‑60小时。待反应结束后,将固体产物从球磨罐中取出并用酸性物质浸泡、过滤、洗涤、干燥,即可得到碳化硅材料。本发明方法制备工艺简单、成本低、无环境污染、易于实现工业化生产。
  • 一种β-SiC粉体的制备方法-202310093663.1
  • 米建新;仪凡;田洪锋;徐婕;韩信有;张磊;焦志锋;郭向云 - 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
  • 2023-02-07 - 2023-05-12 - C01B32/963
  • 本发明属于碳化物材料的制备技术领域,公开了一种β‑SiC粉体的制备方法,包括以下步骤:将兰炭、水玻璃、有机酸与金属盐加入水中,混合均匀后在100‑200℃下恒温1‑10h进行水热处理,得到碳硅复合物前驱体;将碳硅复合物前驱体置于氩气气氛下,进行碳热还原反应,得到反应产物,将反应产物纯化,得到β‑SiC粉体。本发明通过水热法使水玻璃与兰炭进行分子尺度的充分交联混合,形成碳硅复合物前驱体复合物,从而显著提高了碳化硅收率,由于本方法可以实现原料在分子尺度的混合,从而可以降低对原料纯度的要求。在交联混合过程中加入有机酸对水玻璃中的碱性物质进行中和,降低设备腐蚀,提高设备使用寿命。
  • 一种SiC纳米粉体的制备方法-202310099168.1
  • 章嵩;涂溶;卢鹏荐;张联盟;杨梅君;沈强 - 武汉理工大学;武汉拓材科技有限公司
  • 2023-01-30 - 2023-04-14 - C01B32/963
  • 本发明涉及一种SiC纳米粉体的制备方法,步骤如下:1)对石墨基底进行清洗;2)将石墨基底放至样品台上,在沉积腔内的进气喷头和抽气出口处各固定覆盖一个洁净的铜网,并在沉积腔内设有2台激光器;3)将沉积腔内抽真空至100Pa以下,开启辅热系统将石墨基底预热至100~1000℃,将进气喷头加热至200~300℃,将稀释气体、碳源和预热的卤化物硅源通入沉积腔内,开启连续红外激光器对石墨基底加热,开启皮秒紫外脉冲激光器对从进气喷头进入沉积腔的气体进行照射,反应结束后在铜网上收集得到SiC纳米粉体。本发明方法降低了反应所需的能量,从而能有效地降低沉积温度,使得在气相中能够反应生成更多的SiC。
  • 一种Si/SiC/C原位纳米复合微纺锤材料的制备方法-202210486282.5
  • 黄小华;林燕;吴建波 - 台州学院
  • 2022-05-06 - 2023-03-21 - C01B32/963
  • 本发明公开了一种Si/SiC/C原位纳米复合微纺锤材料的制备方法,该方法为:在搅拌条件下,将硅酸钠溶液加入到醋酸锌和葡萄糖的混合溶液中,充分反应后转移至反应釜中进行水热反应;将水热反应产物与镁粉、氯化钠混合均匀,在氩气气氛中进行镁热还原反应。所述Si/SiC/C原位纳米复合微纺锤材料用于锂离子电池负极材料时,表现出优异的电化学性能。
  • 一种β-SiC粉体的制备方法-202211645369.9
  • 米建新;田洪锋;仪凡;郭向云;韩信有;徐婕;张磊;焦志锋 - 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
  • 2022-12-16 - 2023-03-14 - C01B32/963
  • 本发明公开了一种β‑SiC粉体的制备方法,包括以下步骤:将兰炭和水玻璃在水中分散均匀,或将兰炭、水玻璃和可溶性金属盐在水分散均匀,然后干燥,制得前驱体;将前驱体在惰性气氛下煅烧,得到β‑SiC粗产品;将β‑SiC粗产品在氧化气氛进行除碳,得到除碳β‑SiC;将除碳β‑SiC进行除杂处理,得到β‑SiC粉体。本发明以兰炭为碳源、水玻璃为硅源,将碳源和硅源制备成预先形成不能流动的凝胶体,兰炭颗粒被水玻璃分子均匀包裹,这种紧密接触的混合体系大大降低了反应的激活能,在高温煅烧过程中可以促进二者的充分反应,提高β‑SiC粉体的收率,且β‑SiC粉体的纯度可达99%以上。
  • 一种用于制备碳化硅的复合粉体及其制备方法、应用-202110152031.9
  • 周维;朱一鸣;周芳享 - 比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司
  • 2021-02-03 - 2022-08-05 - C01B32/963
  • 本发明公开了一种用于制备碳化硅的复合粉体及其制备方法、应用。所述复合粉体呈核壳结构,包括外壳和被所述外壳包覆的内核;其中,所述外壳包括碳化硅,所述内核包括高熔点金属的硅碳化合物或所述内核包括高熔点金属的硅化物和高熔点金属的硅碳化合物。所述内核是高熔点金属的硅化物或者金属、硅和碳的化合物,高温下的稳定性与碳化硅相当,在碳化硅晶体生长的后期所述内核可以提供额外的硅,来维持稳定的碳硅比气氛,以使碳化硅晶体生长的整个过程中碳硅比保持稳定,从而使制备的碳化硅晶体具有更好的性能。
  • 耐高温SiC气凝胶的制备方法-201911053850.7
  • 杨春晖;张磊;李季 - 哈尔滨工业大学
  • 2019-10-31 - 2022-03-18 - C01B32/963
  • 耐高温SiC气凝胶的制备方法,它涉及一种气凝胶的制备方法。本发明是为了解决现有制备SiC气凝胶的方法产率低、气凝胶的微观结构易破坏的技术问题。本方法如下:一、制备A液、B液并将A液、B液混合得水解液;二、制备湿凝胶;三、制备气凝胶;四、将气凝胶与镁粉反应后,清洗、干燥,即得SiC气凝胶。本发明采用镁热还原,在惰性气体保护下,将气凝胶前驱体还原为SiC气凝胶。成功避免了R1SiO1.5还原过程中SiO气体的产生,最大程度上保持产物形貌完整。经超临界干燥制备了孔道结构均一、形状完整的有机硅气凝胶。本发明属于气凝胶的制备领域。
  • 一种二维片状SiC材料的制备方法-201810821990.3
  • 张锐;赵彪;高前程;董陈江;樊磊;宋勃震;张瑜萍;白中义;李春光;郭晓琴;范冰冰 - 郑州航空工业管理学院
  • 2018-07-24 - 2022-02-15 - C01B32/963
  • 本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法,属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法,包括以下步骤:1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理,得到前驱体凝胶;所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到;2)将所得的前驱体凝胶进行干燥,得到复合粉体;3)将所得的复合粉体进行反应烧成,即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法,以膨胀碳材料作为碳源,分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面,也呈片状分布,经过烧成反应后,即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料,具有比表面积更大、更易分散的优点,并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。
  • 采用单炉多层流化熔融炉的碳化硅生产系统-202120294780.0
  • 刘骏;高定;王宁;李玥鹏 - 北京绿清科技有限公司
  • 2021-02-02 - 2022-01-25 - C01B32/963
  • 本实用新型公开了一种采用单炉多层流化熔融炉的碳化硅生产系统,包括依次连接的干燥破碎装置、单炉多层流化熔融炉和产品处理装置,该单炉多层流化熔融炉的氩气出口通过输入管道与该干燥破碎装置的干燥氩气入口连接,在该输入管道上装有空气燃烧器;该干燥破碎装置的干燥氩气出口通过输出管道与单炉多层流化熔融炉的氩气入口连接。本实用新型采用单炉多层流化熔融方式生产碳化硅产品可保证物料的充分混合和传质传热,与传统的熔融法和升华法相比,完全生产出合格碳化硅产品的反应时间可由过去大约15~25个小时缩短为现在的1~2小时,极大地提高了生产效率;惰性气体的回用降低了能耗。
  • 一种低温制备硅/碳化硅材料的方法-201910791606.4
  • 黄辉;卞飞翔;余佳阁;梁初;夏阳;甘永平;张俊;张文魁 - 浙江工业大学
  • 2019-08-26 - 2021-10-15 - C01B32/963
  • 本发明涉及一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法。硅/碳化硅材料是近年来研究应用较广泛的一种新型材料,具有耐磨、耐腐蚀和耐高温等特点,在机械、化工和冶金等领域应用较多。目前,硅/碳化硅材料的制备工艺主要有无压液相烧结、热压烧结、反应烧结和先驱体转化法。上述方法的反应温度均大于1500℃,能耗大、成本高昂。本文提供了一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法,该方法在300℃就能发生反应。同时也捕捉了CO2气体,缓解了温室效应。
  • 一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法-201911349980.5
  • 李加林;李斌;张红岩;高超;刘家朋;李长进 - 山东天岳先进科技股份有限公司
  • 2019-12-24 - 2021-06-04 - C01B32/963
  • 本申请公开了一种用于制备碳化硅粉料的合成炉和合成方法,属于半导体材料制备领域。该碳化硅粉料合成炉,其包括炉体、坩埚组件和加热件,坩埚组件置于炉体形成的炉体腔内,其特征在于,坩埚组件包括坩埚和导流件,坩埚设置一级进气孔;导流件设置在坩埚形成的坩埚腔内,导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与二级进气孔连通的多个多孔导流管;进气板将坩埚腔分成缓冲腔和合成腔,原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔,并与合成腔内固体原料反应生成碳化硅粉料。该碳化硅粉料合成炉制得的碳化硅粉料的纯度高、粒度均匀,而且可以调节制得的碳化硅粉料的粒径。
  • 碳化硅粉体、其制备方法和应用及反应装置-202011614500.6
  • 邓树军;张洁;付芬 - 湖南三安半导体有限责任公司
  • 2020-12-30 - 2021-04-09 - C01B32/963
  • 本发明公开了碳化硅粉体、其制备方法和应用及反应装置,涉及半导体材料技术领域。碳化硅粉体的制备方法以气态硅源和气态碳源为原料,在800‑2400℃的条件下反应生成碳化硅,并在具有发热功能的基材上进行沉积。发明人创造性地利用具有发热功能的基材进行碳化硅的沉积,其有效聚集了生成的碳化硅,有利于制备形成粒径更大的碳化硅粉体。本发明实施例中的制备方法能够显著提升碳化硅的生产效率,可以实现大规模工业化生产,制备得到的碳化硅粉体可以用于碳化硅晶体生长。
  • 基于硅基氧化物制备的硅基Si-C负极材料及其制法和应用-201910925695.7
  • 谢宏伟;徐亚男;王锦霞;尹华意;宋秋实;宁志强 - 东北大学
  • 2019-09-27 - 2021-02-19 - C01B32/963
  • 一种基于硅基氧化物制备的硅基Si‑C负极材料及其制法和应用,属于电池负极材料制备领域。该基于硅基氧化物制备的硅基Si‑C负极材料是以硅基氧化物和碳化钙为原料,在氯化钙基熔盐中进行反应制备硅基Si‑C负极材料,并将该负极材料制备锂离子电池的负极,其制备的锂离子电池具有良好的比容量和循环性能。通过调控盐组成及比例、合成温度、合成时间、搅拌速率和搅拌时间,调控硅基氧化物与碳化钙反应和产物基于硅基氧化物制备的硅基Si‑C负极材料的生成过程。控制反应速率,促进Si‑C产物中硅和碳均匀分布和颗粒尺寸控制,有利于有效缓冲作为锂离子电池负极材料硅锂合金化过程的体积膨胀,提高硅材料的电导率,提高电化学性能。
  • 一种煤矸石废料的利用方法-201711205954.6
  • 肖劲;张留运;唐雷;田忠良;赖延清 - 中南大学
  • 2017-11-27 - 2020-05-19 - C01B32/963
  • 本发明涉及一种煤矸石废料配合铝电解工业的废旧阴极炭块的综合利用方法。其具体步骤为:将煤矸石和废旧阴极炭块粉粹成粉状,干燥后按一定的比例配料,使用强碱液除去混料中的碱性可溶杂质,热水洗涤至中性,干燥后在惰性或还原性气氛下,加热至1400‑1700℃,保温一段时间后得到含碳化硅的混合粉料,然后将粉料在氧化气氛下氧化燃烧除去残余炭粉,将得到的粉体分散于氢氟酸中除去残余二氧化硅,清洗干燥后即可得到碳化硅粉体。本发明所得碳化硅产品纯度高,粒径小,具有极高的工业运用价值。同时,以工业的固体废弃物煤矸石和废旧阴极炭块为原料,在降低废物污染,保护环境及资源回收利用方向具有积极意义。
  • 一种以硅酸盐玻璃为原料制备多孔纳米碳化硅的方法-201710322067.0
  • 霍开富;高标;安威力;梅世雄;付继江;张旭明 - 武汉科技大学
  • 2017-05-09 - 2019-10-15 - C01B32/963
  • 本发明公开了一种以硅酸盐基玻璃为原料制备纳米碳化硅的方法,该方法包括以下步骤:将玻璃机械球磨后,将球磨后的粉末状玻璃、镁粉、煤焦油、熔盐按照一定的比例均匀球磨混合后放入容器中在惰性气体下反应,随后将反应产物酸洗处理得到纳米碳化硅。该发明步骤简单易行,原料来源广泛,再加入含Mg的熔盐可作为吸热剂控制反应温度和加大镁的溶解度和润湿性,从而能够使反应更充分,且反应物不易团聚,此方法制备的三维多孔碳化硅具有纯度较高、颗粒均匀、比表面积高(180~260m2/g),介孔结构丰富等优点,在耐辐照、抗放射性和吸波等方面具有广泛的应用前景。
  • 一种碳化硅纳米粉末合成装置-201821384451.X
  • 郝光明 - 南京莱克施德药业有限公司
  • 2018-08-27 - 2019-05-17 - C01B32/963
  • 本实用新型提供一种碳化硅纳米粉末合成装置,包括反应箱、收集箱和油缸,所述收集箱通过螺栓安装在反应箱一侧,所述反应箱内设置有空腔,所述空腔内设置有网孔板,所述网孔板通过支杆焊接在空腔内壁顶部,所述网孔板两侧均焊接有接料板,所述反应箱顶部通过螺栓安装有电机一,所述电机一的输出轴上安装有连接块,所述连接块设置在网孔板顶部,所述反应箱内设置有推动板,所述推动板内安装有加热板,所述油缸内设置有活塞头,所述活塞头顶部设置有活塞杆,所述活塞杆顶部通过螺栓安装在推动板底部,所述油缸底部焊接有放置箱,所述放置箱内安装有齿轮泵,该碳化硅纳米粉末合成装置设计新颖,结构合理,便于操作,适合推广。
  • 一种制备高纯碳化硅粉料的方法-201811338323.6
  • 靳婉琪;热尼亚 - 山东天岳先进材料科技有限公司
  • 2018-11-12 - 2019-03-22 - C01B32/963
  • 本发明提出了一种制备高纯碳化硅粉料的方法,其特征在于,(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉;(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯,其中,一次提纯采用真空脱气提纯,二次提纯采用惰性气体下的高温提纯;(3)将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中,反应得到高纯碳化硅粉料。本发明通过对碳粉和石墨坩埚及保温结构进行预处理降低了高纯碳粉的含氮量与金属杂质含量,相比合成碳化硅后再进行湿法冶金处理,更为环保,且工序更简单,同时保证了合成碳化硅粉料时不会从石墨坩埚及保温结构中引入杂质。
  • 一种碳化硅合成电阻炉-201821238250.9
  • 由远洪;赵阳;刘泽伟;廖礼程;朱伯玉 - 石河子市丰拓硅材料科技有限公司
  • 2018-08-01 - 2019-03-05 - C01B32/963
  • 本实用新型公开了一种碳化硅合成电阻炉,包括炉头和炉体,所述炉头包含钢筋混凝土框架(3)、耐火砖砌体(8)和电极(2),其特征在于,还包括隔热层(6),所述隔热层(6)为设置在耐火砖砌体(8)朝向炉体内腔一侧的板状体,所述隔热层(6)不与耐火砖砌体(8)接触的一面设有石墨涂层(7)。与现有技术相比,该装置结构简单,从原来的1年更换一次耐火砖砌体提高至现在的3‑4年更换一次,节省了大量的人力物力,有效提高工作效率,减少环境污染和资源浪费的问题。
  • 一种碳化硅纳米粉末合成装置-201810982926.3
  • 郝光明 - 广西鹿寨县绿享科技有限责任公司
  • 2018-08-27 - 2018-11-06 - C01B32/963
  • 本发明提供一种碳化硅纳米粉末合成装置,包括反应箱、收集箱和油缸,所述收集箱通过螺栓安装在反应箱一侧,所述反应箱内设置有空腔,所述空腔内设置有网孔板,所述网孔板通过支杆焊接在空腔内壁顶部,所述网孔板两侧均焊接有接料板,所述反应箱顶部通过螺栓安装有电机一,所述电机一的输出轴上安装有连接块,所述连接块设置在网孔板顶部,所述反应箱内设置有推动板,所述推动板内安装有加热板,所述油缸内设置有活塞头,所述活塞头顶部设置有活塞杆,所述活塞杆顶部通过螺栓安装在推动板底部,所述油缸底部焊接有放置箱,所述放置箱内安装有齿轮泵,该碳化硅纳米粉末合成装置设计新颖,结构合理,便于操作,适合推广。
  • 一种纳米ZrC-SiC复合粉体的制备方法-201610978528.5
  • 廉晓庆 - 西安科技大学
  • 2016-11-08 - 2018-10-19 - C01B32/963
  • 本发明公开了一种纳米ZrC‑SiC复合粉体的制备方法,具体包括以下步骤:将ZrOCl2·8H2O、乙酰丙酮、丙醇、无水乙醇、双氧水按照1:4:4:40:1的摩尔比例配制成溶液,然后再加入PEG1000,得到初始反应液;将初始反应液于冷凝回流条件下酯化反应,得到酯化液;用氨水调节酯化液的pH,继续搅拌,得到水解溶液;向水解溶液中加入蔗糖,继续搅拌,得到有机锆质先驱体溶液;制备无机硅质先驱体溶液;将无机硅质先驱体溶液倒入有机锆质先驱体溶液中,持续搅拌,得到有机锆质‑无机硅质复合先驱体溶液后在真空干燥箱中固化,最后氩气保护烧结,得到纳米ZrC‑SiC复合粉体。该方法合成温度较低,且制备无机锆先驱体时产物含量高,操作简单,成本低,适合于大规模的工业化生产。
  • 一种超纯纳米碳化硅及其制备方法-201810678749.X
  • 李翔;唐恺 - 江苏大学
  • 2018-06-27 - 2018-09-21 - C01B32/963
  • 本发明提供了一种超纯纳米碳化硅及其制备方法,包括如下步骤:气体反应前驱体的制备:将含碳气体和含硅气体,按Si:C摩尔比为1:1.0~1:1.06,混合即得到气体反应前驱体;超纯纳米碳化硅的制备:将气体反应前驱体导入预热后的陶瓷反应器内,气体反应前驱体在陶瓷反应器内的高温区直接合成粒度为50‑500nm的纳米碳化硅。预热后的所述陶瓷反应器内的温度为1100‑2200℃。所述陶瓷反应器的压力为1‑5个大气压。本发明可以合成单一晶型的纳米碳化硅粉体。
  • 一种碳化硅纳米多孔材料的制备方法-201510512302.1
  • 马建锋;刘青;姚超 - 常州大学
  • 2015-08-19 - 2018-01-02 - C01B32/963
  • 本发明公开一种碳化硅纳米多孔材料的制备方法。依次包括如下步骤在水浴下向海泡石的悬浊液中滴加八烷基三甲基溴化铵溶液,滴加完毕后再滴加丙酮,滴加完毕后于相同条件下继续搅拌,最后离心分离,洗涤烘干并研磨;将粉末置于管式炉中通N2保护下碳化,将碳化后的固体物放入瓶中,加入盐酸溶液,搅拌,固液分离,洗涤,烘干;将得到的颗粒置于管式炉中,在氩气保护下,程序升温煅烧后冷却至室温,将煅烧的产物浸泡于氢氟酸与盐酸的混合酸中,清洗掉未反应二氧化硅,用去离子水洗涤烘干,得到碳化硅纳米多孔材料。该方法以海泡石中的硅为原材料,充分利用海泡石的多孔结构,原料来源廉价,过程可控,易于实现工业化生产。
  • 一种碳化硅纳米棒的制备方法-201510512133.1
  • 马建锋;刘青;姚超 - 常州大学
  • 2015-08-19 - 2017-12-01 - C01B32/963
  • 本发明公开一种碳化硅纳米棒的制备方法。依次包括如下步骤在水浴下向凹凸棒石的悬浊液中滴加十六烷基三甲基溴化铵溶液,滴加完毕后再滴加丙酮,滴加完毕后于相同条件下继续搅拌,最后离心分离,洗涤烘干并研磨;将粉末置于管式炉中通N2保护下碳化,将碳化后的固体物放入瓶中,加入盐酸溶液,搅拌,固液分离,洗涤,烘干;将得到的颗粒置于管式炉中,在氩气保护下,程序升温煅烧后冷却至室温,将煅烧的产物浸泡于氢氟酸与盐酸的混合酸中,清洗掉未反应二氧化硅,用去离子水洗涤烘干,得到碳化硅纳米棒。该方法以凹凸棒石中的硅为原材料,充分利用凹凸棒石的棒状结构,原料来源廉价,过程可控,易于实现工业化生产。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top