[发明专利]在导电插塞上具有导电顶盖层的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911302415.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111987071A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡宏奇 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种在导电插塞上具有导电顶盖层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、配置在该半导体基底上的一第一字元线与一第二字元线，以及配置在该第一字元线与该第二字元线之间的一导电插塞。该导电元件亦具有配置在该导电插塞上的一导电顶盖层，其中该导电顶盖层覆盖该导电插塞的一顶表面与一侧壁表面的一部分。该半导体元件还具有配置在该导电顶盖层上的一位元线，其中该位元线电性连接该导电插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 塞上 具有 盖层 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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