[发明专利]在导电插塞上具有导电顶盖层的半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一半导体基底；

一第一字元线与一第二字元线，配置在该半导体基底上；

一导电插塞，配置在该第一字元线与该第二字元线之间；

一导电顶盖层，配置在该导电插塞上，其中，该导电顶盖层覆盖该导电插塞的一顶表面以及一侧壁表面的一部分；以及

一位元线，配置在该导电顶盖层上，其中，该位元线电性连接该导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该导电插塞包含铜，且该导电顶盖层包含铜锗合金。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该导电插塞的该侧壁表面直接在该第一字元线与该第二字元线上。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一介电层，配置在该第一字元线与该第二字元线上，其中该导电插塞的该侧壁表面的该部分是从该介电层突伸。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，该导电顶盖层直接接触该介电层。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一导电通孔，配置在该位元线与该导电顶盖层之间，其中，该导电顶盖层的一宽度大于该导电通孔的一宽度，且该位元线通过该导电通孔与该导电顶盖层而电性连接该导电插塞。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一源极/漏极区，配置在该半导体基底中，并位在该第一字元线与该第二字元线之间，其中，该位元线电性连接该源极/漏极区。

8.一种半导体元件，包括：

一半导体基底；

一第一字元线与一第二字元线，配置在该半导体基底上；

一导电插塞，配置在该第一字元线与该第二字元线之间，其中，该导电插塞的一侧壁表面位在该第一字元线与该第二字元线上；

一介电层，覆盖该第一字元线与该第二字元线，其中，该介电层围绕该导电插塞的该侧壁表面的一下部设置；

一导电顶盖层，配置在导电插塞上，其中，该导电顶盖层围绕该导电插塞的该侧壁表面的一上部设置；以及

一位元线，配置在该导电顶盖层上，其中，该位元线电性连接该导电插塞。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该导电顶盖层与该介电层完全地覆盖该导电插塞。

10.如权利要求8所述的半导体元件，还包括：

一隔离层，配置在该介电层与该导电顶盖层上，其中，该隔离层的一部分夹置在该导电顶盖层与该介电层之间。

11.如权利要求10所述的半导体元件，还包括：

一导电通孔，配置在该位元线与该导电顶盖层之间，其中，该隔离层在该位元线与该导电顶盖层之间延伸；以及

一源极/漏极区，配置在该半导体基底中，其中，该位元线通过该导电通孔、该导电顶盖层以及该导电插塞而电性连接该源极/漏极区。

12.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该导电插塞由铜所制，且该导电顶盖层由铜锗合金所制。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中，该铜锗合金为Cu₃Ge。

14.一种半导体元件的制备方法，包括：

在一半导体基底上形成一第一字元线与一第二字元线；

形成一介电层以覆盖该第一字元线与该第二字元线；

在该第一字元线与该第二字元线之间形成一导电插塞，其中，该介电层围绕该导电插塞设置；

移除该介电层的一部分，以部分地暴露该导电插塞的一侧壁表面；

形成一导电顶盖层以覆盖该导电插塞的一顶表面以及该侧壁表面；以及

在该导电插塞上形成一位元线，其中，该位元线通过该导电顶盖层而电性连接该导电插塞。