[发明专利]一种大尺寸硅片碱腐清洗装置及清洗工艺在审
| 申请号： | 201911134400.0 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110931348A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘姣龙;武卫;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;谢艳;杨春雪;刘秒;常雪岩;裴坤羽;祝斌;王彦君;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，包括依次设置的预清洗单元、碱洗单元、酸洗单元和干燥单元，在所述碱洗单元至少包括一个碱液槽，所述干燥单元至少包括烘干槽。本发明还提出一种大尺寸硅片碱腐清洗工艺。本发明可去除硅片表面由减薄造成的损伤层，同时最大限度地降低硅片表面的金属离子，保证硅片表面洁净，提高硅片表面洁净度，保证产品质量，提高硅片清洗的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 硅片 清洗 装置 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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