[发明专利]一种大尺寸硅片碱腐清洗装置及清洗工艺

权利要求书

1.一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，其特征在于，包括依次设置的预清洗单元、碱洗单元、酸洗单元和干燥单元，在所述碱洗单元至少包括一个碱液槽，所述干燥单元至少包括烘干槽。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，其特征在于，在所述碱洗单元和所述酸洗单元之后均设有清洗槽，所述清洗槽中的清洗液为纯水。

3.根据权利要求2所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，其特征在于，所述碱液槽数量为两个，在所述碱洗槽中均设有摇摆泵。

4.根据权利要求3所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，其特征在于，所述酸洗单元包括酸洗槽；所述预清洗单元包括预清洗槽。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗装置，其特征在于，所述干燥单元还包括慢提拉槽，所述慢提拉槽置于所述烘干槽之前。

6.一种大尺寸硅片碱腐清洗工艺，其特征在于，包括依次对硅片进行碱性清洗、酸性清洗和干燥处理；所述碱性清洗至少包括一次碱液清洗。

7.根据权利要求6所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗工艺，其特征在于，在所述碱性清洗之前还设有溢流预清洗，在所述酸性清洗和所述干燥处理之前均设有喷淋清洗；所述溢流预清洗时间为40-60s；所述喷淋清洗时间为230-260s。

8.根据权利要求7所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗工艺，其特征在于，在所述碱性清洗过程中用所述摇摆泵对碱液进行回转摇动，摇动时间为80-100s，清洗温度为75-95℃。

9.根据权利要求8所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗工艺，其特征在于，所述碱洗槽中的药液为KOH溶液，所述KOH溶液浓度为40-50％；在所述酸洗槽中的药液为HCL和H₂O₂的混合溶液，HCL浓度为30-38％，H₂O₂浓度为35-40％。

10.根据权利要求6-9任一项所述的一种大尺寸硅片碱腐清洗工艺，其特征在于，所述干燥处理包括温水慢提拉和烘干，所述慢提拉温度为35-50℃；所述干燥温度为55-70℃。