[发明专利]半导体存储器的制造方法在审
| 申请号： | 201911093989.4 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111192854A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李善佶;山口达也;野泽秀二;佐藤渚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体存储器的制造方法。抑制形成孔时的对层叠体产生的损伤和孔内的残渣。在第1蚀刻工序中，在第1层叠工序中，在层叠于基板上的第1层叠体形成第1孔。在第1埋入工序中，在第1孔内埋入由有机材料构成的第1牺牲材料。在第2层叠工序中，向在凹部形成工序中形成于第1层叠体的第1孔的上部的凹部内层叠氧化膜。在第1去除工序中，通过以第2温度对第1层叠体进行退火从而去除第1牺牲材料。在第2埋入工序中，在凹部内的氧化膜上埋入第2牺牲材料。在第3层叠工序中，在第1层叠体和第2牺牲材料上层叠第2层叠体。在第2蚀刻工序中，在第2层叠体的与第1孔相对应的位置形成第2孔。在第2去除工序中，去除氧化膜和第2牺牲材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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