[发明专利]半导体元件和半导体元件的识别方法在审
| 申请号： | 201911051901.2 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111326490A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 狩野太一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/66;G01B11/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在组装时容易识别出特性的半导体元件和半导体元件的识别方法。半导体元件具备：第一外部连接电极(5a)，其设置在芯片的上表面侧；第二外部连接电极(5b)，其以与第一外部连接电极分离且与第一外部连接电极并排的方式设置；以及保护膜(7)，其覆盖第一外部连接电极和第二外部连接电极，在该保护膜的一部分具有使第一外部连接电极的上表面的一部分露出的第一开口部(8a)和使第二外部连接电极的上表面的一部分露出的第二开口部(8b)。第一开口部的平面图案与第二开口部的平面图案关于包含第一外部连接电极和第二外部连接电极的区域的中心点呈2次旋转对称、且关于第一外部连接电极与第二外部连接电极之间的中心线不对称。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 识别 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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