[发明专利]半导体元件和半导体元件的识别方法

说明书

提供在组装时容易识别出特性的半导体元件和半导体元件的识别方法。半导体元件具备：第一外部连接电极(5a)，其设置在芯片的上表面侧；第二外部连接电极(5b)，其以与第一外部连接电极分离且与第一外部连接电极并排的方式设置；以及保护膜(7)，其覆盖第一外部连接电极和第二外部连接电极，在该保护膜的一部分具有使第一外部连接电极的上表面的一部分露出的第一开口部(8a)和使第二外部连接电极的上表面的一部分露出的第二开口部(8b)。第一开口部的平面图案与第二开口部的平面图案关于包含第一外部连接电极和第二外部连接电极的区域的中心点呈2次旋转对称、且关于第一外部连接电极与第二外部连接电极之间的中心线不对称。

技术领域

本发明涉及一种容易识别出特性的不同的半导体元件和半导体元件的识别方法。

背景技术

在半导体集成电路(IC)等中，已知一种设置了具有多晶硅(polysilicon)薄膜的电阻层的半导体元件(参照专利文献1。)。在专利文献1所记载的半导体元件中，在电阻层的上表面侧2个电极与电阻层的两端连接，在2个电极上分别接合有接合线(bonding wire)。因此，芯片尺寸变大，并且需要2根接合线。

因此，能够想到如下的纵向的半导体元件：利用在电阻层的上表面侧电阻层的一端与1个电极连接、电阻层的另一端经由中继布线来与半导体衬底进行欧姆连接的构造，来使电流纵向流通。通过设为纵向的半导体元件，与横向的半导体元件相比，能够削减芯片尺寸，并且能够减少与电极连接的接合线的根数。

为了抑制使半导体元件进行高温动作时的电阻值的上升，优选的是，设为0ppm/℃以下的负的温度系数。半导体元件的电阻层是通过向多晶硅进行杂质的离子注入来形成的。半导体元件的温度系数是通过调整离子注入的杂质剂量或加速电压、以及所注入的杂质的活化热处理的温度或时间来控制的。半导体元件的电阻值是通过调整电阻层的长度和宽度来控制的。

在半导体元件的安装中，使电阻层的上表面侧的电极的一部分露出来形成焊盘(pad)，并将接合线接合于焊盘。在专利文献2中提出了以下方案：通过提供芯片、接合焊盘的尺寸等的设计标准，来减少组装工序中的人为错误。

但是，存在以下情况：电阻值不同的半导体元件的芯片、焊盘的尺寸相同，从而通过同一工序来制造该电阻值不同的半导体元件。电阻值各不相同的多个半导体元件分别被收纳在托盘(tray)等中，并通过同一组装工序被安装。如上所述，电阻值是通过电阻层的平面上的图案的长度和宽度来调整的，因此即使有其它芯片混入也难以识别出来。另外，还有可能被错取为其它芯片。因此，在组装工序中，难以确认是否为期望的半导体元件，有可能发生问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-306861号公报

专利文献2：日本特开2003-282603号公报

发明内容

发明要解决的问题

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种在组装时容易识别出特性的不同的半导体元件和半导体元件的识别方法。

用于解决问题的方案