[发明专利]一种孔内电镀结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910913727.1 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110777406B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;李立中;林伟铭;吴淑芳;马跃辉;陈智广;吴靖;庄永淳 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D7/12;C23C14/34;C23C14/18;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种孔内电镀结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待制作的孔处曝光、显影；以第一光阻层为掩膜对半导体衬底进行蚀刻，制得孔，孔底部为半导体衬底另一面的金属层，并去除第一光阻层；沉积籽晶层金属。本方案在半导体衬底制得到带有籽晶层金属的孔后，于半导体衬底上粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光显影，电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶，避免了光阻填充孔内后，因光阻用量大造成膜面异常状况的发生，也避免了因光阻残留于孔内，影响电镀效果；同时节约成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电镀 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种孔内电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待制作的孔处曝光、显影；/n以第一光阻层为掩膜对半导体衬底进行蚀刻，制得孔，孔底部为半导体衬底另一面的金属层，并去除第一光阻层；/n沉积籽晶层金属；/n对半导体衬底粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光、显影；/n电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶。/n
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