[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201910912462.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620120B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 林滨;曾勇;霍亚洲;伍蓉;陈周煜;李梁梁 | 申请（专利权）人： | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 350300 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示装置。该阵列基板包括：衬底基板，具有像素显示区和栅极驱动电路区；第一薄膜晶体管，形成在所述像素显示区，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极绝缘层；第二薄膜晶体管，形成在所述栅极驱动电路区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极绝缘层；其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度。该方案制作出的显示产品具有良好的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板，具有像素显示区和栅极驱动电路区；/n第一薄膜晶体管，形成在所述像素显示区，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极绝缘层；/n第二薄膜晶体管，形成在所述栅极驱动电路区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极绝缘层；/n其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
