[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，具有像素显示区、栅极驱动电路区和布线区；

第一薄膜晶体管，形成在所述像素显示区，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极绝缘层；

第二薄膜晶体管，形成在所述栅极驱动电路区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极绝缘层；

其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度，且所述第二栅极绝缘层的厚度与所述第一栅极绝缘层的厚度比为2:3至3:4；

所述阵列基板还包括形成在所述布线区的转接结构，所述转接结构包括：

第三栅极，与所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第二薄膜晶体管的第二栅极同层设置，且所述第三栅极与所述第二栅极连接；

第三栅极绝缘层，与所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层同层设置，且所述第三栅极绝缘层具有过孔，以暴露所述第三栅极；

转接线，与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和所述第二薄膜晶体管的第二源漏极同层设置，所述转接线与所述第二源漏极连接，且所述转接线的一端位于所述过孔内并与所述第三栅极连接。

2.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板，所述衬底基板具有像素显示区、栅极驱动电路区和布线区；

形成位于所述像素显示区的第一薄膜晶体管和位于所述栅极驱动电路区的第二薄膜晶体管；

形成所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第二薄膜晶体管的第二栅极，同时，还形成位于所述布线区的第三栅极，所述第三栅极与所述第二栅极连接；形成覆盖所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极的栅极绝缘薄膜；

形成覆盖所述栅极绝缘薄膜的光刻胶层，并利用灰阶掩膜对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成光刻图案，其中，所述光刻图案包括位于所述像素显示区的第一光刻部、位于所述栅极驱动电路区的第二光刻部及位于所述布线区的第三光刻部，所述第二光刻部的厚度小于所述第一光刻部的厚度，所述第三光刻部具有与所述第三栅极相对的通孔；

去除所述第二光刻部并对所述栅极绝缘薄膜上与所述栅极驱动电路区和所述通孔相对的部位进行刻蚀处理，以形成第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，同时，还形成覆盖所述第三栅极的第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层具有过孔，以暴露所述第三栅极，其中，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极绝缘层，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度；

形成位于所述第一栅极绝缘层上所述第一薄膜晶体管的第一有源层和位于所述第二栅极绝缘层上所述第二薄膜晶体管的第二有源层；

形成位于所述第一有源层上所述第一薄膜晶体管的第一源漏极和位于所述第二有源层上所述第二薄膜晶体管的第二源漏极，同时，还形成位于所述第三栅极绝缘层上的转接线，所述转接线与所述第二源漏极连接，且所述转接线的一端位于所述过孔内并与所述第三栅极连接。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，去除所述第二光刻部并对所述栅极绝缘薄膜上与所述栅极驱动电路区和所述通孔相对的部位进行刻蚀处理，包括：

采用反应气体同时对所述第二光刻部进行灰化处理和对所述栅极绝缘薄膜上与所述通孔相对的部位进行干法刻蚀处理，以去除所述第二光刻部并使所述栅极绝缘薄膜上与所述通孔相对的部位被刻蚀掉部分厚度；

继续采用所述反应气体同时对所述栅极绝缘薄膜上与所述第二光刻部相对的部位和与所述通孔相对的部分进行干法刻蚀处理，使得所述栅极绝缘薄膜上与所述第二光刻部相对的部位被刻蚀掉部分厚度并使得所述栅极绝缘薄膜上与所述通孔相对的部位被完全刻蚀掉，以形成所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层及所述第三栅极绝缘层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，

所述栅极绝缘薄膜采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种制作而成；

所述光刻胶层为正性光刻胶；

所述反应气体包括六氟化硫和氧气，所述六氟化硫和所述氧气的流量比为1:200至1:10。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述六氟化硫的流量为100sccm至1000sccm，所述氧气的流量为10000sccm至20000sccm。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1所述的阵列基板。