[发明专利]存储器电容的制作方法有效
| 申请号： | 201910910414.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563206B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 鲍锡飞 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供的存储器电容的制作方法，在形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、电容孔和第一电极层后，先通过一次干法蚀刻工艺制程去除设定位置的第二支撑层、第二牺牲层和第一支撑层以形成电容打开孔，再通过一次湿法蚀刻工艺制程去除剩余的牺牲层，最后在第一电极层的表面形成电容介质层和第二电极层。本发明的技术方案仅需要一次干法蚀刻工艺制程和一次湿法蚀刻工艺制程，即可形成电容打开孔以去除存储器电容的全部牺牲层，使制程步骤得到了优化，极大程度地缩短了存储器电容的制造时间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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