[发明专利]存储器电容的制作方法

说明书

本发明提供的存储器电容的制作方法，在形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、电容孔和第一电极层后，先通过一次干法蚀刻工艺制程去除设定位置的第二支撑层、第二牺牲层和第一支撑层以形成电容打开孔，再通过一次湿法蚀刻工艺制程去除剩余的牺牲层，最后在第一电极层的表面形成电容介质层和第二电极层。本发明的技术方案仅需要一次干法蚀刻工艺制程和一次湿法蚀刻工艺制程，即可形成电容打开孔以去除存储器电容的全部牺牲层，使制程步骤得到了优化，极大程度地缩短了存储器电容的制造时间。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种存储器电容的制作方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)作为一种新型的半导体存储器件，被越来越多地应用于计算机等设备的制造和使用之中。DRAM由许多重复的存储单元组成，每个存储单元通常包括电容器和晶体管：晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着动态随机存储器(DRAM)的器件尺寸越来越小，为了使电容器能存储更多电荷，电容器的深宽比变得越来越大，使得蚀刻变得越来越困难，同时对电容支撑层的要求也越来越高，因此在电容器结构中加入支撑层成为了解决这一问题的首选方案。

制造电容器时，技术人员会先在支撑层之间设置牺牲层，蚀刻牺牲层后，再沉积电容介质层和电极层。蚀刻牺牲层时，需要先将覆盖在其表面的支撑层去除，而支撑层和牺牲层的材料不同，需要交替使用不同的蚀刻工艺制程，尤其是蚀刻支撑层需要较长时间的酸洗来减少缺陷，这大大延长了电容存储器的制造时间。因此，为了解决现有技术中存储器电容制造时工艺复杂、速度慢的技术问题，亟需提出一种新的存储器电容的制作方法。

发明内容

根据此，有必要针对存储器电容制造时工艺复杂、速度慢的技术问题，提供一种存储器电容的制作方法。

为了实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种存储器电容的制作方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底的表面依次形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层和第二支撑层；

依电容孔版图蚀刻所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层至暴露出所述衬底，形成电容孔；

在所述电容孔处形成第一电极层，所述第一电极层覆盖电容孔的内壁以及暴露的衬底；

在单次干法蚀刻制程中形成用于连通相邻的多个所述电容孔的电容打开孔，所述电容打开孔贯穿所述第二支撑层、第二牺牲层和第一支撑层；

以电容打开孔为基础对牺牲层进行蚀刻以去除剩余的牺牲层；

在所述第一电极层表面依次形成电容介质层和第二电极层。

下面进一步对技术方案进行说明：

在其中一个实施例中，所述蚀刻所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层至暴露出所述衬底的步骤，包括：

在所述第二支撑层的表面形成第一光阻层，并图形化所述第一光阻层；

通过所述图形化的第一光阻层蚀刻所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层；

去除所述第一光阻层。

在其中一个实施例中，所述在所述电容孔处形成第一电极层的步骤，包括：

在形成了电容孔的第二支撑层表面沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第二支撑层的表面、电容孔的内壁以及所述暴露的衬底；