[发明专利]存储器电容的制作方法

权利要求书

1.一种存储器电容的制作方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底的表面依次形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层和第二支撑层；

依电容孔版图蚀刻所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层至暴露出所述衬底，形成电容孔；

在所述电容孔处形成第一电极层，所述第一电极层覆盖电容孔的内壁以及暴露的衬底；

在单次干法蚀刻制程中形成用于连通相邻的多个所述电容孔的电容打开孔，所述电容打开孔贯穿所述第二支撑层、第二牺牲层和第一支撑层；

以电容打开孔为基础对第一牺牲层和第二牺牲层进行湿法蚀刻以去除剩余的牺牲层；

在所述第一电极层表面依次形成电容介质层和第二电极层。

2.根据权利要求1所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述蚀刻所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层至暴露出所述衬底的步骤，包括：

在所述第二支撑层的表面形成第一光阻层，并图形化所述第一光阻层；

通过所述图形化的第一光阻层蚀刻所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层；

去除所述第一光阻层。

3.根据权利要求1所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述在所述电容孔处形成第一电极层的步骤，包括：

在形成了电容孔的第二支撑层表面沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第二支撑层的表面、电容孔的内壁以及所述暴露的衬底；

蚀刻所述第一金属层沉积在所述第二支撑层表面的部分，使沉积在所述电容孔侧壁的第一金属层与所述第二支撑层的表面齐平；剩余覆盖电容孔的内壁以及暴露的衬底的第一金属层作为所述第一电极层。

4.根据权利要求1所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述在单次干法蚀刻制程中形成用于连通相邻的多个所述电容孔的电容打开孔的步骤，包括：

在所述第二支撑层的表面依次形成硬掩模层、抗反射层和第二光阻层；

图形化所述第二光阻层；

通过所述图形化的第二光阻层蚀刻所述抗反射层和硬掩模层；

通过所述硬掩模层在单次蚀刻制程中形成电容打开孔；

依次去除所述第二光阻层、抗反射层和硬掩模层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述第二支撑层的厚度为150nm~300nm。

6.根据权利要求5所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述电容打开孔的形状为圆形、椭圆形或长条形中的一种。

7.根据权利要求5所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述干法蚀刻工艺中使用的气体为四氟化碳和三氟甲烷的混合物。

8.根据权利要求7所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，在所述干法蚀刻工艺制程中，所述牺牲层与支撑层的蚀刻选择比大于10:1。

9.根据权利要求1所述的存储器电容的制作方法，其特征在于，所述衬底设置有接触孔，用于连通所述第一电极层和控制电路。