[发明专利]一种Micro-LED芯片、封装结构在审

申请号：	201910892907.6	申请日：	2019-09-20
公开（公告）号：	CN110600495A	公开（公告）日：	2019-12-20
发明（设计）人：	章帅;琚晶;李起鸣	申请（专利权）人：	上海显耀显示科技有限公司
主分类号：	H01L27/15	分类号：	H01L27/15;H01L33/62;H01L33/64
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	200013 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提供了一种Micro‑LED芯片、封装结构，Micro‑LED芯片包括：Micro‑LED外延片；以及位于LED外延片底部的IC电路衬底；IC衬底控制Micro‑LED的工作状态；其中，IC电路衬底包括：IC电路主区域，与所述Micro‑LED外延片相键合；外围连线，位于IC电路主区域且位于Micro‑LED外延片底部的外围，外围连线上具有输出端；外围连线位于IC电路衬底的顶层；其中，外围连线具有至少一圈，每一圈外围连线具有各自的引出极。外围电路的设计使得引出极的分布更加灵活，进一步简化封装结构，提高封装效率。
搜索关键词：	连线外围衬底封装结构引出极主区域封装效率外围电路输出端顶层键合灵活
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【主权项】：

1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括：/nMicro-LED外延片；以及/n位于LED外延片底部的IC电路衬底；IC衬底控制Micro-LED的工作状态；其中，IC电路衬底包括：/nIC电路主区域，与所述Micro-LED外延片相键合；/n外围连线，位于IC电路主区域且位于所述Micro-LED外延片底部的外围，外围连线上具有输出端；外围连线位于IC电路衬底的顶层；其中，/n外围连线具有至少一圈，每一圈外围连线具有各自的引出极。/n

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摘要：根据本发明的一实施例，提供了一种发光二极管，包括：引线框架单元；以及光源单元，设置在所述引线框架单元上，所述引线框架单元包括：主体部，具有与所述光源单元接触的第一面和与所述第一面相反的第二面；第一导电层，设置在所述主体部的所述第一面；第二导电层，设置在所述主体部的所述第二面；以及连接部，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，并且贯通所述主体部，其中，所述主体部包括去除所述第二面的一部分而具有从所述第二面下陷的形状的焊料孔，其中，所述第一导电层包括：圆形部，具有圆形形状；以及延伸部，与所述圆形部一体地设置，并且具有从所述圆形部沿一方向延伸的形状。

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摘要：本公开提供一种发光装置封装件，包括：单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在第一表面的水平延伸线的一部分上包括半导体发光单元，半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于包括第一导电类型半导体层的侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；波长转换单元，其分别对应于半导体发光单元，并且波长转换单元中的每一个布置成对应于第一导电类型半导体层；阻挡结构，其布置在与单元阵列对应的波长转换单元之间；以及开关单元，其布置在阻挡结构中并且电连接到半导体发光单元。

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摘要：提供了一种发光装置及其制造方法。所述发光装置包括：基体层；第一导电层，位于基体层上，包括第一电极图案和第二电极图案，并且暴露基体层的位于第一电极图案与第二电极图案之间的第一区域处的部分；精细发光二极管(LED)，位于第一区域处；第二导电层，覆盖第二电极图案和精细LED的第一侧，并且与精细LED的第一侧和第二电极图案接触；第一绝缘层，位于第二导电层和精细LED上，并且部分地暴露精细LED的第二侧；以及第三导电层，覆盖精细LED的第二侧和第一电极图案以及第一绝缘层的侧壁的一部分，并且接触精细LED的第二侧和第一电极图案。

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摘要：根据一实施例的发光元件包括：第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；垫，电连接于所述第一发光单元至第三发光单元，从而能够使所述第一发光单元至第三发光单元独立地驱动；第二波长转换器，变换从所述第二发光单元发出的光的波长；以及第三波长转换器，变换从所述第三发光单元发出的光的波长，其中，所述第三波长转换器将光的波长变换为比第二波长转换器变换的波长更长的长波长，所述第二发光单元具有比所述第一发光单元更大的面积，所述第三发光单元具有比所述第二发光单元更大的面积。

发光器件和包括该发光器件的光源模块-201910613252.4
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摘要：提供了发光器件和包括该发光器件的光源模块。所述光源模块包括：印刷电路板；发光器件，安装在印刷电路板上，并包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个子阵列包括多个发光单体；以及多个驱动芯片，安装在印刷电路板上，其中，所述多个驱动芯片中的每个驱动芯片分别驱动所述多个子阵列中的对应的子阵列，其中，所述多个子阵列彼此电隔离。

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摘要：本实用新型提供一种单片集成的无机LED显示器件，包括单件式衬底；所述单片集成的无机LED显示器件包括在该单件式衬底上形成的多个微LED子像素层结构和多个III‑V族电子器件层结构，每个微LED子像素层结构借助电导线电连接至相应的一个III‑V族电子器件的层结构，其中所述显示器件包括驱动IC或与驱动IC电连接。本实用新型还提供显示系统和裸眼立体显示系统。本实用新型的无机LED显示器件及其制备方法克服了现有的用于制备Micro LED的工艺可能存在的一些问题。

发光设备及制造其的方法-201910602800.3
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申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本申请涉及发光设备以及制造发光设备的方法。发光设备包括具有发光区域的衬底。第一电极位于发光区域中。第二电极位于发光区域中且与第一电极间隔开。发光元件位于第一电极与第二电极之间。第一接触电极将发光元件的端部连接至第一电极。第二接触电极将发光元件的另一端部连接至第二电极。第一接触电极的厚度大于或等于第一电极的厚度且第二接触电极的厚度大于或等于第二电极的厚度。

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摘要：本发明实施例公开了一种显示装置及LED芯片的巨量转移方法。该显示装置包括驱动背板以及呈阵列设置于所述驱动背板上的至少三种LED芯片，至少三种所述LED芯片的电极在所述驱动背板上的正交投影满足互不内嵌关系；其中，三个投影满足互不内嵌关系是指三个投影以任意方式交叠，其中一个投影不完全落入另一个投影内；所述驱动背板上设置有多个凹槽，所述凹槽的形状与LED芯片的电极的形状相适配，所述LED芯片的电极位于所述凹槽内。本发明实施例提供的技术方案，能够实现在不破坏LED芯片结构的情况下，对LED芯片进行巨量转移，提高了LED芯片吸附的良率，并提高了LED芯片的转移效率，有利于显示装置的量产化。

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摘要：本申请公开了一种用于显示器的LED像素和具有该LED像素的显示设备，显示器用LED像素包括：第一LED堆叠件；第二LED堆叠件，位于第一LED堆叠件的部分区域上；第三LED堆叠件，位于第二LED堆叠件的部分区域上；反射电极，布置于第一LED堆叠件下部；第二透明电极，位于第二LED堆叠件和第三LED堆叠件之间，并与第二LED堆叠件的上表面欧姆接触；以及第三透明电极，与第三LED堆叠件的上表面欧姆接触。

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申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/15
摘要：公开了一种发光元件。发光元件包括第一发光单元、布置为与第一发光单元在同一平面上沿第一方向相邻的第二发光单元、在第一发光单元和第二发光单元上彼此相隔而布置的多个接触孔、将第一发光单元和第二发光单元电连接的第一电极连接部。第一电极连接部包括：第1‑1电极连接部，位于第一发光单元上；第1‑2电极连接部，位于第二发光单元上；第一中间连接部，在第一发光单元和第二发光单元之间连接第1‑1电极连接部和第1‑2电极连接部。第1‑1连接部包括：第1‑1边缘部，位于与第二发光单元相邻的第一发光单元的第一侧面侧的边缘和与第一侧面侧相邻的第一发光单元的另一侧面侧的边缘之间；多个第1‑1分支部，从第1‑1边缘部延伸。

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申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/15
摘要：公开了一种发光元件和发光二极管。所述发光元件包括：第一发光单元；一个以上的第二发光单元，与第一发光单元布置在同一平面上；第一电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元电连接；第二电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的另一个发光单元电连接，其中，所述第一发光单元布置在中央，而所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。

倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片-201821607940.7
发明人：黄华茂;黄程;吴浩城;王洪 -专利权人：华南理工大学
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摘要：本实用新型公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片。本实用新型的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本实用新型的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本实用新型的工艺流程简单、可靠。

显示面板及显示面板制作方法-201910333165.3
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摘要：本发明提供一种显示面板，包括基板，所述基板上定义有多个呈矩阵排列的像素区域，每个所述像素区域包括多个子像素区域；所述显示面板还包括设置于所述基板上的多个发光二极管，每个所述子像素区域上对应设置有一个所述发光二极管；同一所述像素区域上的发光二极管中，至少一个发光二极管与所述像素区域中另一个发光二极管或者与相邻像素区域中的至少一个发光二极管属于同一个发光单元，同一个所述发光单元中的各个发光二极管来自同一晶圆，具有一共同基底。本发明提供的显示面板，有利于提高显示面板的制作效率。本发明还提供所述显示面板的制作方法。

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摘要：本发明公开了一种多合一MicroLED芯片及其制作方法，所述MicroLED芯片包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接。本发明在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。

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发明人：谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明公开一种具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法，其中该显示器，包括具有多个电控元件的一基板；一发光二极管阵列，包括一半导体层和多个发光单元形成于半导体层上；形成于半导体层上的多个第一电极；形成于基板和发光二极管阵列之间的一粘结层；和多个波长转换元件，形成于半导体层上并与发光单元位于半导体层的不同侧，波长转换元件的位置与发光单元的位置相对应，其中波长转换元件彼此相距一距离。

微发光二极管显示设备-201710549601.1
发明人：刘仲展;吴宗典;陈振彰;林宗毅 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/15
摘要：一种微发光二极管显示设备，具有相对配置的第一基板与第二基板，多个微发光二极管分别设置于第一基板与第二基板的相邻表面，借此即能高密度设置微发光二极管而提升分辨率；当第一基板与第二基板皆为可挠性基板，加上前述微发光二极管分设于第一基板与第二基板，则能改善微发光二极管显示设备的可挠性；当再采取反射杯对应微发光二极管设置，则更可增强亮度或改变出光方向，于是成为能改善亮度、可挠度、与增大分辨率的微发光二极管显示设备。

显示面板、显示面板的制备方法和显示装置-201910944347.4
发明人：邢汝博;王涛;张志豪 -专利权人：云谷(固安)科技有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本申请提供了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括：发光层，包括多个发光芯片；光转换层，位于所述发光层上；其中，所述光转换层中设置有多个通道，所述发光芯片位于所述通道下方，所述通道的内壁为曲面状内壁；所述通道内壁表面设置有金属反射层，至少部分所述通道中填充有光转换材料。该显示面板具有光串扰少、光收集率和出光效率高、显示效果好的优点。

微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法-201710370047.0
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明提供一种微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法。本发明的微发光二极管阵列基板的封装结构，包括基板、微发光二极管阵列、及光阻保护层；所述微发光二极管阵列包括数个阵列排布的微发光二极管；所述光阻保护层对应所述数个微发光二极管的位置设有数个阵列排布的过孔，所述数个微发光二极管分别位于所述数个过孔当中；每一过孔内均填充有一个上表面呈凸起状的并覆盖相应过孔内微发光二极管的UV树脂微透镜；能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板，并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]一种Micro-LED芯片、封装结构在审

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