[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法在审

申请号：	201910828209.X	申请日：	2019-09-03
公开（公告）号：	CN110660668A	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	高明超;金锐;王耀华;刘江;温家良;潘艳;吴军民;冷国庆;赵哿	申请（专利权）人：	全球能源互联网研究院有限公司
主分类号：	H01L21/331	分类号：	H01L21/331;H01L29/08;H01L29/739
代理公司：	11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人：	李博洋
地址：	102209 北京***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的背面形成第一导电类型半导体层，在衬底的正面形成MOS结构；在第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽；在沟槽中形成第一部分第二导电类型集电区；在第一导电类型半导体层和沟槽中形成第二部分第二导电类型集电区，第一部分第二导电类型集电区和第二部分第二导电类型集电区构成第二导电类型集电区。通过实施本发明，在IGBT的集电区增加沟槽式设计，该沟槽结构可以使得该IGBT在工作时保持有源区具有足够的载流子浓度，降低终端区载流子浓度，从而优化集电区注入效率，提高器件的反偏安全工作区。该沟槽结构更有利于金属的粘附，可以优化背面集电极表面金属结构。
搜索关键词：	集电区导电类型第一导电类型半导体层载流子沟槽结构衬底制备背面绝缘栅双极晶体管安全工作区集电极表面间隔设置金属结构注入效率沟槽式终端区反偏源区粘附优化金属
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【主权项】：

1.一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在衬底的背面形成第一导电类型半导体层，在衬底的正面形成MOS结构；/n在所述第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽；/n在所述沟槽中形成第一部分第二导电类型集电区；/n在所述第一导电类型半导体层和所述沟槽中形成第二部分第二导电类型集电区，所述第一部分第二导电类型集电区和第二部分第二导电类型集电区构成第二导电类型集电区。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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