[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底的背面形成第一导电类型半导体层，在衬底的正面形成MOS结构；

在所述第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽；

在所述沟槽中形成第一部分第二导电类型集电区；

在所述第一导电类型半导体层和所述沟槽中形成第二部分第二导电类型集电区，所述第一部分第二导电类型集电区和第二部分第二导电类型集电区构成第二导电类型集电区。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽之前，还包括：

在所述第一导电类型半导体层上淀积磷杂质；

对淀积磷杂质的第一导电类型半导体层进行退火处理，所述磷杂质经过吸杂形成磷硅玻璃层；

去除所述磷硅玻璃层。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽，包括：

在所述第一导电类型半导体层上涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光和显影；

去除未覆盖光刻胶的部分第一导电类型半导体层，形成间隔设置的沟槽。

4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一导电类型半导体层和所述沟槽中形成第二部分第二导电类型集电区之前，还包括：去除所述第一导电类型半导体层上涂覆的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，采用离子注入工艺形成所述第一部分第二导电类型集电区和所述第二部分第二导电类型集电区，所述离子注入工艺的注入剂量为1E7cm^-3～1E12cm^-3，注入能量为30KEV～200KEV。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

采用普通退火工艺或激光退火工艺对所述第二导电类型集电区进行热处理，所述热处理的温度为300～1200℃。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，在衬底的正面形成MOS结构，包括：

在衬底的正面制备发射极、栅电极、第一导电类型源区和第二导电类型区。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第二导电类型集电区上沉积金属，形成金属电极。

9.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

MOS结构，设置在所述衬底正面；

第一导电类型半导体层，设置在所述衬底背面；

第二导电类型集电区，设置在第一导电类型半导体层远离所述衬底的一面，与所述第一导电类型半导体层接触，所述第二导电类型集电区上设置有间隔设置的沟槽结构。

10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述衬底正面的MOS结构包括发射极、栅电极、第一导电类型源区和第二导电类型区。

11.根据权利要求9所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，还包括：金属电极，设置在所述第二导电类型集电区上，与所述第二导电类型集电区接触。