[发明专利]形成集成电路结构的方法以及集成电路结构有效
| 申请号： | 201910779620.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081683B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 曾俊凯;林政仁;赵永清;郑明达;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括形成第一磁性层，在第一磁性层上方形成第一导线，以及在第一磁性层上涂覆光敏涂层。光敏涂层包括位于第一导线正上方的第一部分，以及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。该方法还包括对光敏涂层的第一部分实施第一曝光，对光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光，显影光敏涂层，以及在光敏涂层上方形成第二磁性层。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 结构 方法 以及 | ||
【主权项】：
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