[发明专利]形成集成电路结构的方法以及集成电路结构

说明书

根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括形成第一磁性层，在第一磁性层上方形成第一导线，以及在第一磁性层上涂覆光敏涂层。光敏涂层包括位于第一导线正上方的第一部分，以及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。该方法还包括对光敏涂层的第一部分实施第一曝光，对光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光，显影光敏涂层，以及在光敏涂层上方形成第二磁性层。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。

背景技术

电感器是集成电路中的重要组件。然而，电感器不能很好地按比例缩放，并且集成电路中的电感器的按比例缩小通常会导致性能降级的损失。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：形成第一磁性层；在所述第一磁性层上方形成第一导线；在所述第一磁性层上涂覆光敏涂层，其中，所述光敏涂层包括：第一部分，位于所述第一导线正上方；以及第二部分，从所述第一导线偏移，其中，所述第一部分连接至所述第二部分；对所述光敏涂层的第一部分实施第一曝光；对所述光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光；显影所述光敏涂层；以及在所述光敏涂层上方形成第二磁性层。

根据本申请的实施例，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：形成第一导线和第二导线；涂覆光敏涂层，所述光敏涂层包括：第一部分，位于所述第一导线和所述第二导线正上方；第二部分，位于所述第一导线和所述第二导线之间；第三部分，位于组合区域的相对侧上，其中，所述组合区域包括所述第一导线、所述第二导线和所述光敏涂层的第二部分；实施第一曝光以曝光所述光敏涂层的第一部分，其中，使用具有第一波长的第一光束实施所述第一曝光；实施第二曝光以曝光所述光敏涂层的第一部分和第三部分，其中，使用具有与所述第一波长不同的第二波长的第二光束实施所述第二曝光；以及显影所述光敏涂层。

根据本申请的实施例，提供了一种集成电路结构，包括：第一磁性层；第一导线和第二导线，位于所述第一磁性层上方并且彼此平行；以及介电层，包括：第一部分，位于所述第一导线正上方；第二部分，位于所述第一导线和所述第二导线之间；以及第三部分，位于组合区域的相对侧上，其中，所述组合区域包括所述第一导线、所述第二导线和所述介电层的第二部分，其中，所述第三部分的侧壁是倾斜的，倾斜角度小于40度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图7、图8A、图8B和图9至图14示出了根据一些实施例的电感器的形成中的中间阶段的截面图。

图15示出了根据一些实施例的电感器的另一截面图。

图16示出了根据一些实施例的示出金属凸块的封装组件的截面图。

图17示出了根据一些实施例的电感器的顶视图。

图18和图19示出了根据一些实施例的作为波长的函数的光敏材料的吸收。

图20示出了根据一些实施例的用于形成电感器的工艺流程。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。