[发明专利]形成集成电路结构的方法以及集成电路结构

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成第一磁性层；

在所述第一磁性层上方形成第一导线；

在所述第一磁性层上涂覆光敏涂层，其中，所述光敏涂层包括：

第一部分，位于所述第一导线正上方；以及

第二部分，从所述第一导线偏移，其中，所述第一部分连接至所述第二部分；

对所述光敏涂层的第一部分实施第一曝光；

对所述光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光；

显影所述光敏涂层；以及

在所述光敏涂层上方形成第二磁性层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

使用第一光刻掩模实施所述第一曝光；以及

使用与所述第一光刻掩模不同的第二光刻掩模实施所述第二曝光。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第一波长实施所述第一曝光，并且使用与所述第一波长不同的第二波长实施所述第二曝光。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一波长短于所述第二波长。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一磁性层上方形成第二导线，其中，所述第一导线和所述第二导线彼此平行，并且其中，所述第二导线涂覆在所述光敏涂层中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一曝光和所述第二曝光中，所述光敏涂层的位于所述第一导线和所述第二导线之间的中间部分是曝光的。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一曝光中，所述光敏涂层的位于所述第一导线和所述第二导线之间的中间部分是未曝光的，而在所述第二曝光中，所述光敏涂层的中间部分是曝光的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁性层、所述第一导线和所述第二磁性层形成电感器的一部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，涂覆所述光敏涂层包括涂覆负性光刻胶。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一磁性层包括：

沉积第一磁性膜；

在所述第一磁性膜上方沉积第二磁性膜；以及

在所述第二磁性膜上方沉积第三磁性膜，其中，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜和所述第三磁性膜由不同的材料形成。

11.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成第一导线和第二导线；

涂覆光敏涂层，所述光敏涂层包括：

第一部分，位于所述第一导线和所述第二导线正上方；

第二部分，位于所述第一导线和所述第二导线之间；

第三部分，位于组合区域的相对侧上，其中，所述组合区域包括所述第一导线、所述第二导线和所述光敏涂层的第二部分；

实施第一曝光以曝光所述光敏涂层的第一部分，其中，使用具有第一波长的第一光束实施所述第一曝光；

实施第二曝光以曝光所述光敏涂层的第一部分和第三部分，其中，使用具有与所述第一波长不同的第二波长的第二光束实施所述第二曝光；以及

显影所述光敏涂层。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

沉积第一磁性层，其中，第一导线和第二导线与所述第一磁性层重叠；以及

在所述光敏涂层和所述第一磁性层上方形成第二磁性层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一导线和所述第二导线是电感器的一部分。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，涂覆所述光敏涂层包括涂覆负性光刻胶。