[发明专利]半导体装置结构的制造方法在审
| 申请号： | 201910743525.7 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110875424A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 陈季丞;黄伟立;郭建志;黄宏麟;古进誉;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构和制造方法。上述方法包括形成一粘着层于一半导体基底上，且形成一磁性元件于粘着层上。上述方法还包括形成一隔离元件而延伸跨越磁性元件。隔离元件局部覆盖磁性元件的上表面，且局部覆盖磁性元件的多个侧壁表面。上述方法还包括局部去除粘着层，使得粘着层的一边缘横向设置于磁性元件的一边缘与隔离元件的一边缘之间。另外，上述方法包括形成一导线于隔离元件上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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