[发明专利]半导体装置结构的制造方法

说明书

一种半导体装置结构和制造方法。上述方法包括形成一粘着层于一半导体基底上，且形成一磁性元件于粘着层上。上述方法还包括形成一隔离元件而延伸跨越磁性元件。隔离元件局部覆盖磁性元件的上表面，且局部覆盖磁性元件的多个侧壁表面。上述方法还包括局部去除粘着层，使得粘着层的一边缘横向设置于磁性元件的一边缘与隔离元件的一边缘之间。另外，上述方法包括形成一导线于隔离元件上。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体装置结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料与设计的技术进展已经产生了多个IC世代。每一世代都具有比上一世代更小更复杂的电路。

IC演进过程中，功能密度(即，每一芯片面积中内连接装置的数量)通常会增加，而几何尺寸(即，利用工艺可产生的最小部件(或线))却是减少。这种照比例微缩的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而带来许多益处。

然而，这些进展增加了工艺与IC制造的复杂度。由于特征部件尺寸持续缩小，因而工艺也持续变得更加难进行。因此，形成可靠且尺寸越来越小的半导体装置成为了一项挑战。

发明内容

一种半导体装置结构的制造方法包括：形成一粘着层于一半导体基底上，且形成一磁性元件于粘着层上。上述方法还包括形成一隔离元件而延伸跨越磁性元件。隔离元件局部覆盖磁性元件的上表面，且局部覆盖磁性元件的多个侧壁表面。上述方法还包括局部去除粘着层，使得粘着层的一边缘横向设置于磁性元件的一边缘与隔离元件的一边缘之间。另外，上述方法包括形成一导线于隔离元件上。

一种半导体装置结构的制造方法包括：形成一金属层于一半导体基底上。上述方法也包括形成一磁性元件于金属层上。上述方法还包括直接形成一隔离元件于磁性元件及金属层上。另外，上述方法包括形成一导线于隔离元件上。

一种半导体装置结构包括：一半导体基底及位于半导体基底上的一磁性元件。上述半导体装置结构也包括一粘着元件，位于磁性元件与半导体基底之间。上述半导体装置结构还包括一隔离元件，延伸跨越磁性元件，其中隔离元件局部覆盖磁性元件的上表面，且局部覆盖磁性元件的多个侧壁表面。粘着元件的一边缘横向设置于磁性元件的一边缘与隔离元件的一边缘之间。另外，上述半导体装置结构包括一导线，位于隔离元件上。

附图说明

图1A至图1M示出根据一些实施例的不同制造阶段的半导体装置结构制造方法剖面示意图。

图2A至图2E示出根据一些实施例的不同制造阶段的半导体装置结构制造方法剖面示意图。

图3A至图3D示出根据一些实施例的不同制造阶段的半导体装置结构制造方法平面布局示意图。

图4示出根据一些实施例的半导体装置结构剖面示意图。

图5示出根据一些实施例的半导体装置结构剖面示意图。

图6示出根据一些实施例的半导体装置结构平面布局示意图。

图7示出根据一些实施例的一中间制造阶段的半导体装置结构制造方法平面示意图。

附图标记说明：

12、114、117 掩模元件

100 半导体基底

100E、501、E₁、E₂、E₃、E₄ 边缘

102 内连接结构

103 粘着层

103' 粘着元件

103T 端部