[发明专利]只读存储器的单元阵列及其形成方法

摘要

本发明公开了一种只读存储器的单元阵列及其形成方法，形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成了各存储单元的栅极结构和位于栅极结构两侧的侧墙结构后，采用自对准重掺杂离子注入工艺在栅极结构的两侧的半导体衬底中形成具有相同或不同的离子掺杂类型的源极结构和漏极结构；当源极结构和漏极结构具有相同的离子掺杂类型时，该存储单元所存储的信息为“1”；当源极结构和漏极结构具有不同的离子掺杂类型时，该存储单元所存储的信息为“0”。本发明在编程时无需额外的注入掩膜，工艺步骤简单，存储单元面积小，且存储有信息“0”的存储单元和与存储有信息“1”的存储单元在物理结构上并无差别，难以被反向工程所识别破解，安全性更高。

主权项

1.一种只读存储器的单元阵列，其特征在于，包括：形成有浅沟槽隔离结构的半导体衬底，所述浅沟槽隔离结构定义出至少一个有源区；每个所述有源区内形成有多个存储单元；每一所述存储单元包括：栅极结构，分别位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源极结构和漏极结构；相邻的两个所述存储单元共用一个所述漏极结构；每一所述存储单元的原始状态为同一所述存储单元源极结构和漏极结构具有相同的离子掺杂类型，此时其所存储的信息为“1”；每一所述存储单元的编程状态为同一所述存储单元源极结构和漏极结构具有不同的离子掺杂类型，此时其所存储的信息为“0”。