[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910630398.X | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718547A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金旻奎;徐康一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括：半导体衬底，具有凹陷顶部部分和非凹陷顶部部分；第一鳍，从非凹陷顶部部分向上突出并且具有第一厚度；第二鳍，从凹陷顶部部分向上突出并且具有大于第一厚度的第二厚度；第一栅极结构，在非凹陷顶部部分上并且从非凹陷顶部部分围绕第一鳍至第一高度；和第二栅极结构，在凹陷的顶部上并且从凹陷顶部部分围绕第二鳍至不同于第一高度的第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 半导体器件 栅极结构 衬底 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括具有不同栅极长度的至少两个垂直场效应晶体管，所述半导体器件包括：/n半导体衬底，其包括顶表面和底表面，其中，所述顶表面包括相对于所述半导体衬底的底表面处于第一高度的第一顶表面部分和相对于所述半导体衬底的底表面处于第二高度的第二顶表面部分，所述第一高度不同于所述第二高度；/n第一鳍，其从所述半导体衬底的第一顶表面部分突出；/n第二鳍，其从所述半导体衬底的第二顶表面部分突出，所述第一鳍的顶部和所述第二鳍的顶部处于同一水平；/n第一栅极结构，其在所述半导体衬底的第一顶表面部分上，所述第一栅极结构包括第一栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层上的第一栅极导电层，所述第一栅极结构从所述半导体衬底的顶表面围绕所述第一鳍至第一厚度；以及/n第二栅极结构，其在所述半导体衬底的第二顶表面部分上，所述第二栅极结构包括第二栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层上的第二栅极导电层，所述第二栅极结构从所述半导体衬底的顶表面围绕所述第二鳍至第二厚度，所述第一厚度不同于所述第二厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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