[发明专利]一种基于石墨烯的光电探测器有效

申请号：	201910614105.9	申请日：	2019-07-09
公开（公告）号：	CN110379871B	公开（公告）日：	2021-10-22
发明（设计）人：	崔积适	申请（专利权）人：	三明学院
主分类号：	H01L31/0232	分类号：	H01L31/0232;H01L31/028;H01L31/09
代理公司：	厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222	代理人：	杨唯
地址：	365000 福***	国省代码：	福建;35
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供了一种基于石墨烯的光电探测器，包括：氧化物衬底层；硅波导层，形成于所述氧化物衬底层上；其中，所述硅波导层包括矩形硅波导以及微环形硅波导，所述微环形硅波导设置于所述矩形硅波导的第一侧，并与所述矩形硅波导形成微环谐振腔结构；石墨烯层，设置于所述硅波导层上，并覆盖所述矩形硅波导以及所述微环形硅波导；第一金属电极，设置于所述硅波导层的覆盖有所述石墨烯层的一侧，并位于所述石墨烯层上；第二金属电极，设置于所述硅波导层的未设置有所述石墨烯层的另一侧。本发明能在不延长吸收长度以及不影响带宽的前提下提高光电探测器的响应度。
搜索关键词：	一种基于石墨光电探测器
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种基于石墨烯的光电探测器，其特征在于，包括：氧化物衬底层；硅波导层，形成于所述氧化物衬底层上；其中，所述硅波导层包括矩形硅波导以及微环形硅波导，所述微环形硅波导设置于所述矩形硅波导的第一侧，并与所述矩形硅波导形成微环谐振腔结构；石墨烯层，设置于所述硅波导层上，并覆盖所述矩形硅波导以及所述微环形硅波导；第一金属电极，设置于所述硅波导层的覆盖有所述石墨烯层的一侧，并位于所述石墨烯层上；第二金属电极，设置于所述硅波导层的未设置有所述石墨烯层的另一侧。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三明学院，未经三明学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910614105.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：太阳能电池模块及其制造方法
下一篇：铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池

同类专利

基于高阶奇异点的传感器及其制备方法-202310923689.4
发明人：史弘康;陈泽;张晓波;李磊;方舟 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明涉及光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于高阶奇异点的传感器及其制备方法，传感器包括光学微腔、介质波导和光电探测器；光学微腔的数量若干且结构相同；每个光学微腔到介质波导的距离相等，相邻光学微腔之间的距离相等；光学微腔被激光器发出的圆偏振光激发后产生相同的手性模式，光学微腔间通过介质波导发生单向耦合，在系统内产生用于对扰动进行反馈的高阶奇异点，奇异点的阶数仅由相同光学微腔的数量决定；光电探测器设于介质波导的输出端用于接收光谱。本发明基于高阶奇异点对于微小扰动进行有效反馈，增加传感器的灵敏度。

片上集成硅单光子探测器及其制备方法-202210333941.1
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本申请提供一种片上集成硅单光子探测器及其制备方法，该片上集成硅单光子探测器包括氮化硅波导和硅导模探测器，氮化硅波导用于接收并传输入射光，入射光的波长为300nm‑1100nm；硅导模探测器的长度方向与氮化硅波导内的光传输方向一致，硅导模探测器的宽度方向与硅导模探测器通电时硅导模探测器内的电流方向一致；硅导模探测器与氮化硅波导间隔设置，且氮化硅波导位于硅导模探测器高度方向的上部，硅导模探测器用于接收氮化硅波导耦合来的入射光，以及当硅导模探测器通电时，用于将入射光转换为电信号。该片上集成硅单光子探测器解决了因硅材料对接近1100nm处的近红外光吸收系数小导致的探测效率低的技术问题。

硅基集成光电探测器及其制备方法-202210335988.1
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。

带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片-202311047239.X
发明人：秦世宏;丁奕心;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。

一种能够探测和识别手性光场的探测器及其制备方法-202311159452.X
发明人：郝群;李科学;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明提出一种能够探测和识别手性光场的探测器及其制备方法，涉及新型光电探测器件领域。本发明包括衬底、金属层、矩形空气槽周期阵列、纳米线探测器、金属电极、信号采集和信号运算分析装置；矩形空气槽周期阵列所激发的SPP垂直地向两侧传播，当两列相互垂直的矩形空气槽中心在水平间距为所激发的SPP波长的1/4时，圆偏振光会产生定向耦合的SPP，从而使得矩形空气槽阵列对偏振特性不同的入射光能够精确的筛选，并将筛选的入射光传输至探测器。本发明的纳米线探测器对矩形空气槽阵列传输的光产生光响应，对应于不同的圆偏振光表现出不同的可测量光电流，从而实现对不同圆偏振光的探测和区分。

一种高性能的光耦结构-202310858108.3
发明人：王兰玉;段果 -专利权人：厦门华联半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明涉及耦合器件领域，特别地涉及一种高性能的光耦结构。本发明公开了一种高性能的光耦结构，包括内部结构件、输入单管和输出单管，内部结构件的左端面和右端面分别设有向内凹陷的左安装腔和右安装腔，内部结构件内设有连通左安装腔和右安装腔的光通道，输入单管和输出单管分别安装在左安装腔和右安装腔内，且输入单管的发射端和输出单管的接收端分别对着光通道的左右两端，光通道内注满透光的第一胶体。本发明可在提高耐压的同时提高光传输效率，且不会增加厚度，同时也可以解决高额压模模具费、研发周期长、试模损耗高等问题，满足更多市场需求和应用环境。

一种基于光子晶体的多通道探测器-202210255542.8
发明人：李冲;刘芮汐;高昕元;于书伟;刘云飞;邓赫卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体的多通道探测器，包括：衬底；在衬底的顶部本征层内制作有周期性空气孔排列形成的光子晶体，顶部本征层上选择生长两种不同的吸收材料；在顶部本征层和吸收材料一上溅射形成N电极和P电极，在吸收材料二的两侧分别注入离子形成p型掺杂区和n型掺杂区，在p型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在n型掺杂区上形成N+欧姆接触电极；两组P电极与N电极之间形成电势差，实现光电转换。本发明多通道探测器的结构设计灵活，通过光子晶体的陷光效应提高对光的捕获率，便于与现有光通信器件集成，可实现光缓存；同时，通过多通道探测不同波长的光，实现波分复用的光传输系统，提高了探测器吸收效率。

GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法-202111118652.1
发明人：舒斌;朱佳迪;张二同;胡辉勇;王利明;李婉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明提供的一种GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法，将GeSn材料、单行载流子光电探测器和Ge基波导型光电探测器结合在一起，适合单片光电集成，可以满足高光响应度、高响应速度与波段的器件性能要求。且本发明的光探测器工艺简单，通过楔形结构用于提高光波导与探测器之间的光耦合效率，以及锥形结构减小光探测器入射波导的光反射。因此本发明的光电探测器可以提高效率、光响应度以及响应速度。本发明所设计的GeSn波导型光探测器在1.55μm处的光响应度为1.25A/w，3dB带宽最大为160GHz。相比现有技术，本发明光探测器的光响应度和响应带宽方面均有很大的提升。

图案玻璃和包括图案玻璃的太阳能发电模块-201880053424.0
发明人：金泰元;朴泰浚;金阿珑;朴智详;白建勋 -专利权人：浦项股份有限公司;浦项产业科学研究院
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：根据本发明的一个实施方式的图案玻璃可以包括：耦接至支承体的基板单元；以及设置在基板单元中图案单元，并且图案单元包括：透射区域，在由从光源发射的光形成的光路径中的进入方向与脱离方向之间形成的角形成钝角范围的情况下，光透射至透射区域；以及反射区域，在反射区域中，在传递至观察者的视觉光的光路径中的进入方向与脱离方向之间形成的角形成锐角范围，使得具有大于透射区域中的反射率的反射率。另外，根据本发明的另一实施方式的太阳能发电模块可以包括：图案玻璃；以及太阳能电池，太阳能电池是支承体，基板单元耦接至支承体。

一种片上集成的等离激元光电探测器及其制备方法和应用-202310926917.3
发明人：管志强;李湘黔;徐红星 -专利权人：湖北珞珈实验室;武汉大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种片上集成的等离激元光电探测器及其制备方法和应用，属于光学元件技术领域。所述光电探测器包括半导体结构、电极、等离激元波导；所述半导体结构由下至上包括硅、二氧化硅和半导体光电材料，由绝缘体上硅刻蚀部分顶层硅得到或由绝缘体上硅完全刻蚀顶层硅后沉积或转移所需的半导体光电材料得到；所述电极设置于所述半导体光电材料的两端且与所述半导体光电材料相接触；所述等离激元波导设置于所述半导体光电材料的侧边，且等离激元波导端头与所述半导体光电材料存在间隙。本发明通过优化结构参数，实现了等离激元波导与硅纳米结构的高效近场耦合，并最终实现了等离激元的片上集成电信号直接探测，且具有良好的加工制备可控性。

一种局域场增强的光电导型高速光电探测器-202211149831.6
发明人：刘文杰;傅开祥;郎钰文;秦玉文;王云才 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种基于表面等离激元增强的光电导型新型结构高速光电探测器及其制备方法，器件结构从下至上包括：置于底部的衬底；置于所述衬底上方的下金属电极；置于所述下金属电极上方的半导体材料层，所述半导体材料层用于产生光生载流子，并在外加电场的作用下将光生电流输运至两侧电极；置于所述半导体材料层上方的双层金属光栅电极，包含下层金属光栅电极和上层金属光栅电极；所述双层金属光栅电极通过外侧环形电极进行电连接；所述双层金属光栅电极与所述下金属电极分别构成探测器的正极和负极，用于为探测器加外置偏压。本发明提供的基于表面等离激元增强的光电导型高速光电探测器，以解决传统光探测器的响应速度低，转换效率低的问题。

一种薄膜铌酸锂平台上的超宽带波导耦合光电探测器-202310715536.0
发明人：谢小军;魏超;邹喜华;潘炜;闫连山 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂平台上的超宽带波导耦合光电探测器，具体为：在TFLN‑InP异质集成平台上制备波导耦合光电探测器，通过金属有机化学气相沉积在半绝缘的InP衬底上生长外延层，依次包括n接触层、牺牲层、漂移层、悬崖层、四元化合物层、吸收层和p接触层；n接触层和p接触层分别为重掺杂InGaAs和InGaAsP；吸收层为20nm厚的耗尽吸收层和100nm厚的渐变掺杂吸收层。本发明可以同时提高带宽和响应速度，可以与成熟的硅工艺兼容，可以应用于四电平脉冲调幅数据接收系统。

一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片-202310756422.0
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片，该光电探测器包括：间隔预设距离的第一波导和第二波导；第二波导的形状为环形；衬底层，用于进行掺杂；第一掺杂区，在衬底层的设定区域通过掺杂形成；环形光吸收层，位于第一掺杂区的表面同时位于第二波导的内壁远离第二波导的外壁的一侧，部分环形光吸收层与第二波导的内壁存在间隙且其他部分环形光吸收层与第二波导的内壁共用至少一个切面；环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率以及空气的折射率；环形光吸收层用于接收第二波导传输的光信号。本发明可以提高光电探测器的线性度，也可以降低光电探测器的寄生参数，提高了光电探测器的带宽。

基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法-202011523761.7
发明人：邹望辉;莫嘉豪;武俞刚;王淳风 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明涉及一种基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法，其中，光探测器包括：衬底、隔离层和光探测结构；隔离层的材料为氧化硅；光探测结构包括脊型波导、石墨烯层和叉指电极结构；脊型波导的材料为氮化硅；脊型波导包括基部和脊部；基部的宽度大于脊部的宽度；石墨烯层位于脊型波导基部之上；在所述石墨烯层之上设置有与所述石墨烯层形成接触的第一金属层和第二金属层；所述第一金属层和第二金属层沿波导传输方向交替放置，并按叉指方式排列，同时向脊型波导基部两侧延伸出来，形成叉指电极结构。其石墨烯层相比传统结构更接近波导中心，与导模的相互作用更强，因此可以获得更高性能，有效避免石墨烯层断裂影响性能。

受光元件-202180084761.8
发明人：石田隼斗;广瀬真树;细川畅郎;上野山聪;广瀬和义;田中和典 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：受光元件(1)具备：基板(2)，其包含至少1个受光区域(10)，具有供光入射的光入射面(2a)；以及超透镜(3)，其形成于基板(2)的光入射面(2a)，以将入射至光入射面(2a)的光聚光。在从基板(2)的厚度方向(Z轴方向)观察的情形时，超透镜(3)形成为，与和受光区域(10)相邻的相邻区域(R1)及周缘区域(R2)两者重叠，上述周缘区域(R2)为与相邻区域(R1)连续且沿着受光区域(10)的外缘的受光区域(10)的内侧的区域。在从Z轴方向观察的情形时，于在光入射面(2a)中与受光区域(10)的中央区域重叠的区域，设置有未形成超透镜(3)的非形成区域(R3)。

一种基于体硅基底的背入射光电探测器芯片及其制备方法-202310908362.X
发明人：曲靖毓;石彬;祁帆;蔡鹏飞 -专利权人： NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开一种基于体硅基底的背入射光电探测器芯片，包括：基底、上下两个电极以及透镜；基底为硅晶圆；透镜可以是硅晶圆背面经刻蚀或研磨而成的原位透镜，也可以是使用其他材料制作并贴合的附加透镜；顶电极可以是部分覆盖的环状结构或完全覆盖于吸收层的平面结构。本发明还公开一种基于体硅基底的背入射光电探测器芯片的制备方法。将硅晶圆作为基底，成本低且与CMOS工艺兼容，在器件制作过程可以将透镜直接集成在芯片背面，提高耦合精度；实现透镜至芯片吸收区距离的精确控制；顶电极作为反射层将未完全吸收的光进行反射重新吸收，提高光利用效率，进而提升光电转换效率，且增大电极的散热能力，避免局部温度过高导致器件烧毁。

一种基于光栅结构的高效光导开关光学系统-202310681018.1
发明人：洪凡平;郭辉;王雨田;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种基于光栅结构的高效光导开关光学系统，包括：阳极金属电极、SiC材料衬底、阴极金属电极；阳极金属电极和阴极金属电极分别设置于SiC材料衬底的上表面和下表面；SiC材料衬底的上表面和下表面之一作为光入射面，入射光照射于光入射面内的目标区域；SiC材料衬底的上表面和下表面之另一作为非光入射面，非光入射面包括第一区域和第二区域；设置于非光入射面的金属电极位于第一区域内，第二区域在光入射面的对应区域包括目标区域；第二区域内制备有一系列平行等距的微槽构成的光栅结构。本发明利用光栅的反射作用增强对激光的吸收，避免了现有技术中由于激光长期烧蚀造成反射层寿命过短的问题；通过改变光栅周期等参数，能够进一步提高光电转换效率。

光电转换装置-201880048586.5
发明人：三浦拓也;一户大吾 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明的光电转换装置(116)具有设置在半导体基板(112)上的光电转换元件(113)、及设置在光电转换元件(113)上的光学滤波器(103)，光学滤波器(103)包括：含有热分解开始温度为150℃以上的色素的树脂层(102)、及保护光电转换元件的层(101)，光学滤波器(103)的树脂层(102)的动态硬度为10mN/μm2以上且150mN/μm2以下。

一种光敏管与滤光片组合封装结构-202320638294.5
发明人：曾金付 -专利权人：惠州市一粟光电有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其是一种光敏管与滤光片组合封装结构，包括密封胶封装、特定波长滤光片、第二引脚、第一引脚、光感芯片，所述密封胶封装的内部通过容纳结构设有特定波长滤光片和光感芯片，所述第一引脚的下端电性连接光感芯片，该光敏管与滤光片组合封装结构不但能只需要将特定波长滤光片扣装于第二容纳腔内，即采用一次组合便可完成组装，且能通过密封胶封装限位条和U型折弯部对第一引脚、第二引脚进行固定，结构更加稳定，且通过一次冲压成型的第一折弯扣板和第二折弯扣板对特定波长滤光片进行固定，无需额外部件卡扣。

光电转换元件、光检测装置、光检测系统、电子设备和移动体-202180081142.3
发明人：村田贤一;定荣正大;平田晋太郎;高桥新吾;大庭义行;小岛尚;汤川富之;财前义史;杉山知広;冈本正喜;増永拓也;川原雄基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。

一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器-202310799049.7
发明人：张程;龚靖轩;黄亮杰;张文;陈阳;朱鹏;刘景鸽;王长擂;吴绍龙;李孝峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包括：上方硅薄膜、顶部导电电极、金属光栅、钛薄膜、硅基底、底部导电电极；所述钛薄膜、金属光栅、钛薄膜、上方硅薄膜依次设置于所述硅基底上；所述底部导电电极连接于硅基底下方；所述顶部导电电极与所述金属光栅固定连接；所述钛薄膜作为粘附层连接所述硅基底和所述金属光栅以及所述金属光栅和所述上方硅薄膜；本发明采用金属材料作为吸光层，通过基于双硅层进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率，提高了热电子转移到硅中的收集效率，通过改变金属光栅宽度可调节探测器的响应波长，进而实现窄带的光电探测。

硅锗探测器及其制备方法-202310485227.9
发明人：赵泽平;王鑫刚;王超权;刘建国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本公开提供一种硅锗探测器及其制备方法，涉及半导体器件领域，包括：硅沉底，依次叠设于硅沉底上的二氧化硅层以及硅波导；硅波导上形成有N型掺杂区、锗本征区以及P型掺杂区；其中，锗本征区设置于N型掺杂区以及P型掺杂区之间；N型重掺杂区，设置于N型掺杂区远离锗本征区的一侧；P型重掺杂区，设置于P型掺杂区远离锗本征区的一侧；电极，设置于N型重掺杂区以及P型重掺杂区上；电感，设置于电极之间，用于补偿在硅锗探测器中产生的电容效应。本公开在光场和电场两方面优化了器件的带宽、响应度以及饱和输入特性，使硅锗探测器具有更优的综合性能以及更高的集成度。

一种形成硅光光栅耦合窗口的方法-202310620820.X
发明人：郭凯;贺可强;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明提供一种形成硅光光栅耦合窗口的方法，提供半导体结构，包括：SiO2层、形成于SiO2层中的铜互连结构、形成于铜互连结构上的铝结构；在半导体结构上表面形成保护层，保护层将所述铝结构的上表面覆盖；在保护层上沉积一层硬掩膜阻挡层；依次刻蚀硬掩膜阻挡层、保护层以及SiO2层，形成光耦合窗口；去除剩余的硬掩膜阻挡层；刻蚀去除铝结构上的保护层，将铝结构上表面暴露。本发明的方法增加SiO2作为保护层以及多晶硅作为硬掩膜阻挡层，在后续硬掩膜阻挡层去除时保护铝结构不受损伤，同时得到深度大于10um的垂直耦合光窗口和端面耦合光窗口。

光电探测元件、图像传感器及电子设备-202210121103.8
发明人：余力强;章健;李云涛;张贻政 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本申请涉及光电技术领域，尤其涉及到一种光电探测元件、图像传感器及电子设备。光电探测元件包括主体和陷光结构，其中，陷光结构用于提高进入到主体中入射光的光程，以提高光电探测元件的探测效率，陷光结构可以包括第一结构和第二结构，第一结构可以设置在主体内，且第一结构位于主体的入光侧，第二结构位于主体外，第二结构与主体可以叠层设置，且第二结构可以设置在靠近主体的入光侧；另外，主体还包括设置在远离第一结构一侧的底部反射镜，以及设置在底部反射镜和第二结构之间的侧壁反射墙。本申请中的光电探测元件可以提高入射光在光电探测元件内的有效光程，提高光电探测元件的探测效率。

固态成像装置-202180089231.2
发明人：纳土晋一郎;山崎知洋;蛯子芳树;横川创造;荻田知治;松谷弘康;守屋雄介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：根据本公开的固态成像装置包括多个像素(100)，每个所述像素包括：基板(140)，其具有用作光入射面的第一表面；光电转换部(121)，位于所述基板内部；遮光部(130)，其设置在所述第一表面一侧并且具有允许光入射到所述光电转换部的孔部(160)；和第一透镜(123a)，其由硅构成，其被设置在所述遮光部上并且将入射光朝着所述孔部会聚。

一种二硫化钼红外探测器-202310661238.8
发明人：王泽高;冯琳;谭超 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明涉及一种室温红外光电探测器，特别是一种以二硫化钼为敏感层的室温红外光电探测以及利用量子上转化效应将红外光转化为可见光的光电探测新方法。该二硫化钼红外光电探测器包括基底、上转化材料、二硫化钼、源电极和漏电极，上转化材料位于二硫化钼和基底之间，源电极和漏电极位于二硫化钼两端。该二硫化钼红外探测器基底为三氧化二铝晶体基片，采用上转化材料耦合二硫化钼解决常见探测红外二维材料因窄带隙而产生的较大暗电流和较低稳定性的问题，有利于改善现有红外探测器的结构，提出新的想法。

环形光电探测器及其制备方法、光收发系统-202310420850.6
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，公开了一种环形光电探测器及其制备方法、光收发系统。该环形光电探测器包括硅衬底、硅波导层、光电吸收层和电极层，硅波导层设于硅衬底上，硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为长方形，第二硅波导结构设置于第一硅波导结构的一侧；光电吸收层呈环形设置于第一硅波导结构上；电极层设置于第一硅波导结构上。本发明提供的环形光电探测器，入射光进入第二硅波导结构，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构中，光在第一硅波导结构内循环传播，并耦合到光电吸收层内，提高了入射光的吸收效率和环形光电探测器的响应度。

集成非对称F-P腔的InSe基日盲紫外光电探测器-202310387782.8
发明人：吴春艳;单龙强;张宇梁;江晓运;胡继刚;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明公开了集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强InSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高InSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为高性能日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。

一种光探测器、制备方法以及光模块-202110867836.1
发明人：隋少帅;陈思涛;尹延龙;赵其圣 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本申请提供的光探测器、制备方法以及光模块，光探测器包括：衬底以及设置在衬底上方的掩埋层；位于掩埋层内的光耦合器和脊波导，脊波导包括连接的连接部和掺杂部，连接部的一端连接光耦合器，高速信号光通过光耦合器耦合传输至连接部；横向排列设置在掺杂部的N型掺杂区、P型电荷区、雪崩倍增区、P型掺杂区、N型接触区和P型接触区以及设置在掺杂部顶面上的锗吸收层；一端电连接N型接触区、另一端设置在掩埋层表面的第一电极，一端电连接P型接触区、另一端设置在掩埋层表面的第二电极。本申请实施例提供了一种光探测器、制备方法以及光模块，提高光接收的带宽和响应度。

用于光电子芯片的沟基光学组件-202010939531.2
发明人： C·米格尔;K·努米;卞宇生;阿乔伊·布凡努姆帝·雅各布 -专利权人：格芯公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232
摘要：本发明涉及用于光电子芯片的沟基光学组件，其包括波导芯的结构和制造包括波导芯的结构的方法。介电层包括具有第一侧壁和第二侧壁的沟槽，且波导芯位于该沟槽的该第一侧壁和第二侧壁之间的该沟槽内。该波导芯具有第一宽度，该沟槽具有位于该第一侧壁和该第二侧壁之间的大于该第一宽度的第二宽度。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]一种基于石墨烯的光电探测器有效

专利文献下载