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[发明专利]光电转换元件、光检测装置、光检测系统、电子设备和移动体-CN202180081142.3在审
发明人：村田贤一;定荣正大;平田晋太郎;高桥新吾;大庭义行;小岛尚;汤川富之;财前义史;杉山知広;冈本正喜;増永拓也;川原雄基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
光电转换元件检测装置系统电子设备移动

[发明专利]固体摄像元件及其制造方法、固体摄像装置和摄像装置-CN201510717533.6有效
发明人： 大庭义行;桧山晋;押山到 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法、固体摄像装置和摄像装置。所述固体摄像元件包括：半导体基板，所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部；第一氧化物层，所述第一氧化物层形成在所述半导体基板的表面上；以及第二氧化物层，所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层和平坦化膜之间，其中，所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。所述固体摄像装置包括所述固体摄像元件和光学系统。所述摄像装置包括所述固体摄像元件、光学系统和信号处理部。本发明能够避免界面损坏并且能够在不降低可靠性和粘着性的前提下抑制暗电流。
固体摄像元件及其制造方法装置

[发明专利]固体摄像元件及其制造方法、固体摄像装置和摄像装置-CN201110245628.4有效
发明人： 大庭义行;桧山晋;押山到 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法、固体摄像装置和摄像装置。所述固体摄像元件包括具有进行入射光的光电转换的受光部的半导体基板；形成于所述半导体基板的表面上的氧化物层；形成于所述氧化物层的上层的遮光层，并且在所述遮光层与所述氧化物层之间形成有粘着层；布置于所述氧化物层与所述粘着层之间的氧供给层，并且所述氧供给层是由显示出的氧化焓比形成所述氧化物层的材料的氧化焓小的材料形成的。所述固体摄像装置包括所述固体摄像元件和光学系统。所述摄像装置包括所述固体摄像元件、光学系统和信号处理部。本发明能够避免界面损坏并且能够在不降低可靠性和粘着性的前提下抑制暗电流。
固体摄像元件及其制造方法装置