[发明专利]一种肖特基终端结构在审
| 申请号： | 201910595695.5 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110246892A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;宋楠;乐春林;刘文彬;陈海洋;刘闯;刘晓芳;徐长坡 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基终端结构，包括衬底材料，衬底材料包括衬底和外延层，外延层设于衬底一侧；以及沟槽，通过刻蚀形成于外延层上；场限环，通过离子注入形成于沟槽侧壁上；氧化层，设于沟槽侧壁、沟槽底部及沟槽拐角处；势垒金属，通过沉积形成于外延层上；正面金属，通过沉积形成于势垒金属与氧化层上。本发明的有益效果是具有场限环、沟槽、接触孔自对准结构，实现两层光刻制造肖特基器件，减小终端耐压结构的尺寸，相同电压等级下终端尺寸相比常规设计要小，有效提升芯片面积的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底材料 沟槽侧壁 势垒金属 终端结构 场限环 肖特基 氧化层 衬底 沉积 终端耐压结构 肖特基器件 常规设计 沟槽拐角 接触孔 自对准 光刻 减小 刻蚀 两层 离子 芯片 终端 金属 制造 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基终端结构，其特征在于：包括衬底材料，所述衬底材料包括衬底和外延层，所述外延层设于所述衬底一侧；以及沟槽，通过刻蚀形成于所述外延层上；场限环，通过离子注入形成于所述沟槽侧壁上；氧化层，设于所述沟槽侧壁、所述沟槽底部及所述沟槽拐角处；势垒金属，通过沉积形成于所述外延层上；正面金属，通过沉积形成于所述势垒金属与所述氧化层上。
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