[发明专利]一种肖特基终端结构

说明书

本发明提供一种肖特基终端结构，包括衬底材料，衬底材料包括衬底和外延层，外延层设于衬底一侧；以及沟槽，通过刻蚀形成于外延层上；场限环，通过离子注入形成于沟槽侧壁上；氧化层，设于沟槽侧壁、沟槽底部及沟槽拐角处；势垒金属，通过沉积形成于外延层上；正面金属，通过沉积形成于势垒金属与氧化层上。本发明的有益效果是具有场限环、沟槽、接触孔自对准结构，实现两层光刻制造肖特基器件，减小终端耐压结构的尺寸，相同电压等级下终端尺寸相比常规设计要小，有效提升芯片面积的利用率。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，尤其是涉及一种肖特基终端结构。

背景技术

目前常见的肖特基器件的终端结构多是场限环加场板的结构，场限环结构用来保护肖特基结的边界，避免出现低击穿，此种结构场限环较宽，终端结构面积较大，对于低压的肖特基器件来讲占用芯片的面积比较高，这部分面积对于器件正向导通并无贡献。由于场限环结构耐压需要一定的宽度所以保护环的耐压结构占用的尺寸较大，这部分面积对于器件正向导通无明显作用。尤其在低压器件中占比更是明显。同时由于后续孔层光刻的时候需要对场限环进行对准光刻，对光刻工艺有要求。需要使用相对高端的光刻设备，增加加工成本。不同电压等级相同尺寸的器件一般需要不同尺寸的终端设计即不同的光刻版来制造。给制造增加光刻版的制造管理成本。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种肖特基终端结构，减少终端耐压结构的尺寸，提高芯片有效面积的利用率。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种肖特基终端结构，包括衬底材料，衬底材料包括衬底和外延层，外延层设于衬底一侧；以及

沟槽，通过刻蚀形成于外延层上；

场限环，通过离子注入形成于沟槽侧壁上；

氧化层，设于沟槽侧壁、沟槽底部及沟槽拐角处；

势垒金属，通过沉积形成于外延层上；

正面金属，通过沉积形成于势垒金属与氧化层上。

进一步的，沟槽设于外延层的端部，沟槽横截面形状为L型。

进一步的，沟槽底部的正面金属的长度小于沟槽底部的氧化层的长度。

进一步的，沟槽底部为场板结构。

进一步的，氧化层为单层或多层介质膜结构，介质膜为氧化硅。

进一步的，场限环深度为0.3-10um。

进一步的，场限环宽度为0.3-10um。

进一步的，场限环为P型杂质，掺杂浓度为1.0E12-1.0E18。

进一步的，衬底另一侧设有背面金属。

本发明具有的优点和积极效果是：

1.由于采用上述技术方案，具有场限环、沟槽、接触孔自对准结构，实现两层光刻制造肖特基器件，减小终端耐压结构的尺寸，相同电压等级下终端尺寸相比常规设计要小，有效提升芯片面积的利用率；

2.具有场限环保护势垒区边界同时将电场扩展到沟槽底部的耐压保护结构，通过自对准的场限环、沟槽、接触孔，不需要孔光刻来实现器件的耐压，场限环用来保护势垒边界同时将电场扩展至沟槽底部来保证器件的耐压，该结构终端结构小，光刻层数少；

3.不同电压等级的器件可以通过调整场限环的结深和浓度以及匹配的沟槽深度及沟槽氧化的厚度，可以实现全电压平台的器件结构和耐压，一套光刻版可以实现不同电压等级相同尺寸的肖特基器件制造，支持所有电压平台，相同的终端设计可以通用不同电压相同尺寸的肖特基器件，不需要重新改版，降低光刻版的使用量。

附图说明