[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201910583201.1 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111627473A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 志村安广;上野广贵;四方刚 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C11/407;G11C11/4074;G11C11/408 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一实施方式，半导体存储装置具备第1、第2存储器晶体管、及与它们的栅极电极连接的第1、第2字线。另外，半导体存储装置以依次执行针对第1存储器晶体管的第1写入动作、针对第2存储器晶体管的第1写入动作、针对第1存储器晶体管的第2写入动作、针对第2存储器晶体管的第2写入动作的方式构成。另外，在第1写入动作中，仅执行1次对第1字线或第2字线输入多个编程电压的编程动作，在执行编程动作后仅执行1次对第1字线或第2字线输入一个或多个验证脉冲的验证动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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