[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910549771.9 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110783269B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张博钦;林立德;林斌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。方法包括以下步骤：在基板上形成沿第一方向延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成第一层间介电层。形成横跨半导体鳍片并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极堆叠。在第一层间介电层上形成具有第一开口的图案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，第一开口在第二方向上延伸。第二开口形成在第一层间介电层中并且在延伸的第一开口下方。在第二开口中形成导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n形成一半导体鳍片于一基板上，该半导体鳍片沿一第一方向延伸；/n形成一源极/漏极区域于该半导体鳍片上并且形成一第一层间介电层于该源极/漏极区域上；/n形成一栅极堆叠横跨于该半导体鳍片上，该栅极堆叠沿实质上垂直于该第一方向的一第二方向延伸；/n形成一图案化遮罩，该图案化遮罩在该第一层间介电层上具有一第一开口；/n使用在该第一方向上比在该第二方向上具有更快沉积速率的一沉积制程在该第一开口中形成一保护层；/n在形成该保护层之后，在该第二方向延长该第一开口；/n形成一第二开口于该第一层间介电层中并于延长的该第一开口下；以及/n形成一导电材料于该第二开口中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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