[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成一半导体鳍片于一基板上，该半导体鳍片沿一第一方向延伸；

形成一源极/漏极区域于该半导体鳍片上并且形成一第一层间介电层于该源极/漏极区域上；

形成一栅极堆叠横跨于该半导体鳍片上，该栅极堆叠沿实质上垂直于该第一方向的一第二方向延伸；

形成一图案化遮罩，该图案化遮罩在该第一层间介电层上具有一第一开口；

使用在该第一方向上比在该第二方向上具有更快沉积速率的一沉积制程在该第一开口中形成一保护层；

在形成该保护层之后，在该第二方向延长该第一开口；

形成一第二开口于该第一层间介电层中并于延长的该第一开口下；以及

形成一导电材料于该第二开口中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中延长该第一开口包含一蚀刻制程，并且该蚀刻制程在该第二方向上具有比在该第一方向上更快的一蚀刻速率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该保护层由一聚合物制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在相同的一电浆工具中执行该保护层的形成和该第一开口的延长。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含：

在形成该保护层之后并在延长该第一开口之前，在该电浆工具中旋转该基板。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在形成该图案化遮罩之前，形成一蚀刻停止层以覆盖该第一层间介电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在延长该第一开口之后，该蚀刻停止层仍保持覆盖该第一层间介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该第一层间介电层中形成该第二开口，使得该第二开口暴露该源极/漏极区域。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该第一层间介电层中形成该第二开口，使得该第二开口暴露该栅极堆叠。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在形成该第一层间介电层之前，在该源极/漏极区域上形成一第二层间介电层；以及

在形成该第一层间介电层之前，在该第二层间介电层中形成一源极/漏极接触，其中在该第一层间介电层中形成该第二开口，使得该源极/漏极接触被暴露。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

形成一鳍片，该鳍片从一基板突出并沿一第一方向延伸；

形成一第一栅极堆叠横跨于该鳍片上并沿实质上垂直于该第一方向的一第二方向延伸；

形成一图案化遮罩，该图案化遮罩在该第一栅极堆叠上具有一开口；

使用在该第二方向上比在该第一方向上具有更快沉积速率的一沉积制程在该图案化遮罩的该开口中形成一保护层；

在形成该保护层之后，在该第一方向上延长该开口；

蚀刻延长的该开口下方的该第一栅极堆叠，以将该第一栅极堆叠分成复数第二栅极堆叠；以及

形成一介电质结构于该些第二栅极堆叠之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在该图案化遮罩中延长该开口包含一蚀刻制程，并且该蚀刻制程在该第一方向上具有比在该第二方向上更快的一蚀刻速率。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包含：

在形成该图案化遮罩之前，形成一蚀刻停止层以覆盖该第一栅极堆叠。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在延长该开口之后，该蚀刻停止层仍保持覆盖该第一栅极堆叠。