[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

一种半导体装置及其制造方法。方法包括以下步骤：在基板上形成沿第一方向延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成第一层间介电层。形成横跨半导体鳍片并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极堆叠。在第一层间介电层上形成具有第一开口的图案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，第一开口在第二方向上延伸。第二开口形成在第一层间介电层中并且在延伸的第一开口下方。在第二开口中形成导电材料。

技术领域

本揭露有关于半导体装置及其制造方法。

背景技术

集成电路的制造受驱使于半导体装置中集成电路(integrated circuit,IC)密度的增加。其实现是透过建置更积极的设计规则以允许形成更大密度的集成电路装置。尽管如此，集成电路装置(例如，晶体管)的密度增加也增加了处理具有减小的特征尺寸的半导体装置的复杂性。

发明内容

本揭露的一实施例包括一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤。形成半导体鳍片于基板上。半导体鳍片沿第一方向延伸。形成源极/漏极区域于半导体鳍片上并且形成第一层间介电层于源极/漏极区域上。形成栅极堆叠横跨于半导体鳍片上，栅极堆叠在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸。形成图案化遮罩，图案化遮罩在第一层间介电层上具有第一开口。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，在第二方向延伸第一开口。形成第二开口于第一层间介电层中和延伸的第一开口下方。形成导电材料于第二开口中。

本揭露的另一实施例包括一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤。形成鳍片，鳍片从基板突出并沿第一方向延伸。形成第一栅极堆叠横跨于鳍片上并沿实质上垂直于第一方向的第二方向延伸。形成图案化遮罩，图案化遮罩在第一栅极堆叠上具有开口。使用在第二方向上比在第一方向上具有更快沉积速率的沉积制程在图案化遮罩的开口中形成保护层。在形成保护层之后，在第一方向上延伸开口。蚀刻延伸的开口下方的第一栅极堆叠，以将第一栅极堆叠分成多个第二栅极堆叠。在第二栅极堆叠之间形成介电质结构。

本揭露的又一实施例包括一种半导体装置包括半导体基板、源极/漏极区域、源极/漏极接触、导电通孔和第一聚合物层。源极/漏极区域位于半导体基板中。源极/漏极接触位于源极/漏极区域上。导电通孔位于源极/漏极接触上。第一聚合物层沿导电通孔的第一侧壁延伸，并与实质上垂直于导电通孔的第一侧壁的导电通孔的第二侧壁分开。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例的形成半导体装置的方法的流程图；

图2A和图3A绘示根据本揭露的一些实施例的处于图1的方法的各个阶段中的半导体装置的立体图；

图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A和图10A绘示根据本揭露的一些实施例的以图1的方法制作的各个阶段中的半导体装置的俯视图；

图2B、图3B、图4B、图5B、图6B、图7B、图8B、图9B和图10B绘示根据本揭露的一些实施例的以图1的方法的各个阶段中的半导体装置的剖面图；

图2C、图3C、图4C、图5C、图6C、图7C、图8C、图9C和图10C绘示根据本揭露的一些实施例的以图1的方法制作的各个阶段中的半导体装置的另一剖面图；

图11A和图11B是根据本揭露的一些实施例中形成半导体装置的方法的流程图；

图12A、图13A、图14A、图15A、图16A、图17A、图18A、图19A、图20A、图21A和图22A绘示根据本揭露的一些实施例的以图11A和图11B的方法制作的各个阶段中的半导体装置的俯视图；