[发明专利]一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910547121.0 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110359092A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐军;赵衡煜;王东海;李东振;王庆国 | 申请（专利权）人： | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/02;C30B13/00;C30B15/08;C09K11/78 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，按照化学通式(Lu1‑xMxYby)2O3称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要等静压成料饼或料棒，烧结后，选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，获得晶体中掺杂了Yb3+作为激活离子，将氧化镥的超快闪烁体基质的优势充分发挥出来，且制备方法简单易操作，制备的闪烁晶体质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镥 制备 闪烁晶体 基质 稀土离子氧化物 超快闪烁体 化学计量比 氧化镥陶瓷 化学通式 激活离子 晶体生长 烧结 等静压 氧化镱 称取 单晶 料棒 料饼 籽晶 掺杂 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，其特征在于：制备方法步骤为：(1)按照化学通式(Lu1‑xMxYby)2O3称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要等静压成料饼或料棒，等静压压力为100‑220Mpa，放入马弗炉中烧结，烧结温度为1500‑1780℃，恒温2‑12小时，升降温速率75‑120℃/h；(2)选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，采用合适的晶体生长方法，选择等高熔点金属作为坩埚；其中晶体生长温度为(2450±20)℃，籽晶接种温度为2480‑2530℃，生长气氛为纯Ar气、(1‑10％)H2+(90‑99％)Ar、(0.1‑1％)O2+(99‑99.9％)H2中任一种。
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