[发明专利]一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910547121.0 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110359092A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐军;赵衡煜;王东海;李东振;王庆国 | 申请（专利权）人： | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/02;C30B13/00;C30B15/08;C09K11/78 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镥 制备 闪烁晶体 基质 稀土离子氧化物 超快闪烁体 化学计量比 氧化镥陶瓷 化学通式 激活离子 晶体生长 烧结 等静压 氧化镱 称取 单晶 料棒 料饼 籽晶 掺杂 应用 | ||
1.一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，其特征在于：制备方法步骤为：
(1)按照化学通式(Lu1-xMxYby)2O3称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要等静压成料饼或料棒，等静压压力为100-220Mpa，放入马弗炉中烧结，烧结温度为1500-1780℃，恒温2-12小时，升降温速率75-120℃/h；
(2)选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，采用合适的晶体生长方法，选择等高熔点金属作为坩埚；其中晶体生长温度为(2450±20)℃，籽晶接种温度为2480-2530℃，生长气氛为纯Ar气、(1-10％)H2+(90-99％)Ar、(0.1-1％)O2+(99-99.9％)H2中任一种。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中晶体生长方法为浮区法，冷坩埚法，微下拉法，温提法，热交换法，下降法中任一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述坩埚的金属为钨，铼，钽中任意一种，或上述金属材料的合金。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：晶体生长方法选用浮区法或冷坩埚法时，采用生长气氛还包括空气气氛或含有较高比例氧气分压的还原性气氛。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：还包括步骤(3)，按照化学通式(Lu1-xMxYby)2O3中，氧化镱Yb2O3为氧化镥Lu2O3基质超快闪烁体中的发光中心；掺杂0.01-3％含量的氧化物材料来增强光产额，通式中以M为代号，包括但不限于氧化钙CaO，起始材料为CaCO3、氧化镁MgO、氧化镓Ga2O3中氧化物材料任一种。
6.权利要求1-5中任一项制备的氧化镥晶体作为闪烁晶体的应用。
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