[发明专利]闪存及其制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存，沟道区包括形成于半导体衬底表面区域中的第一浅沟槽，隧穿介质层和多晶硅浮栅形成在第一浅沟槽中并延伸到第一浅沟槽外；在多晶硅浮栅的宽度方向上的两侧面和顶部表面上依次形成有控制介质层和多晶硅控制栅；源漏区自对准形成在多晶硅浮栅的长度方向上两侧的有源区中，多晶硅浮栅的宽度方向上的两侧面和有源区的宽度方向上的两侧面自对准；沟道区位于源区和漏区之间，沟道具有沿第一浅沟槽侧面延伸的纵向结构，纵向结构使沟道的长度增加并使沟道的长度满足短沟道效应的条件下使多晶硅浮栅的长度减少。本发明还公开了一种闪存的制造方法。本发明能突破沟道长度对存储单元的尺寸限制，从而能缩小存储单元的面积。

主权项

1.一种闪存，其特征在于，包括多个存储单元；各所述存储单元包括栅极结构、源区、漏区和沟道区；所述沟道区包括形成于半导体衬底表面区域中的第一浅沟槽，在所述第一浅沟槽的底部表面和侧面形成有隧穿介质层，所述隧穿介质层还延伸到所述第一浅沟槽外的所述半导体衬底表面上，多晶硅浮栅将形成有所述隧穿介质层的所述第一浅沟槽完全填充并延伸到所述第一浅沟槽外的所述隧穿介质层表面；在所述多晶硅浮栅的宽度方向上的两侧面和顶部表面上依次形成有控制介质层和多晶硅控制栅；各所述存储单元的所述栅极结构由对应的所述隧穿介质层、所述多晶硅浮栅、所述控制介质层和多晶硅控制栅叠加而成；所述源区和所述漏区自对准形成在所述多晶硅浮栅的长度方向上两侧的有源区中，所述多晶硅浮栅的宽度方向上的两侧面和所述有源区的宽度方向上的两侧面自对准；所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间且被所述多晶硅浮栅所覆盖的所述半导体衬底的表面区域中；被所述多晶硅浮栅覆盖的所述沟道区的表面用于形成连接所述源区和所述漏区的沟道，所述沟道具有沿所述第一浅沟槽侧面延伸的纵向结构，所述沟道的纵向结构使所述沟道的长度增加并使所述沟道的长度满足短沟道效应的条件下使所述多晶硅浮栅的长度减少并从而缩小所述存储单元的面积。