[发明专利]一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910385770.5 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110098257B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈润泽;王立新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 庞许倩;马东伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术难以在不牺牲器件电学性能的情况下大幅减少器件转移电容的问题。该器件的导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构均包括沟槽、上屏蔽电极、下屏蔽电极和沟槽栅电极。其中，沟槽设置于半导体衬底上的第一导电类型的外延层中；下屏蔽电极、上屏蔽电极由下至上依次设置于所述沟槽中；沟槽栅电极设置于所述沟槽的顶部，下屏蔽电极、上屏蔽电极、沟槽栅电极均采用第二导电类型材料，彼此之间通过介质层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 功率 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅功率MOSFET器件，其特征在于，其导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构均包括沟槽、上屏蔽电极、下屏蔽电极和沟槽栅电极；其中，所述沟槽，设置于半导体衬底上的第一导电类型的外延层中；所述下屏蔽电极、所述上屏蔽电极、所述沟槽栅电极由下至上依次设置于所述沟槽中；所述下屏蔽电极、所述上屏蔽电极、所述沟槽栅电极均采用第二导电类型材料，彼此之间通过介质层隔离。
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