[发明专利]鳍状场效晶体管装置在审
| 申请号： | 201910375551.9 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110783404A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄如立;江欣哲;潘育麒;杨峻铭;梁春升;庄英良;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例说明鳍状场效晶体管装置的结构与形成方法。鳍状场效晶体管装置包括：基板；鳍状物，位于基板上；以及栅极结构，位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层，位于栅极结构的内侧侧壁上。功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面。栅极结构亦包括充填栅极金属层，位于功函数金属层的最顶侧表面上。充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面。栅极结构亦包括自组装单层，位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 功函数金属层 栅极金属层 上表面 充填 鳍状场效晶体管 顶侧表面 鳍状物 基板 自组装单层 内侧侧壁 共平面 | ||
【主权项】：
1.一种鳍状场效晶体管装置，包括：/n一基板；/n一鳍状物，位于该基板上；/n一栅极结构，位于该鳍状物上，且该栅极结构包括：/n一功函数金属层，位于该栅极结构的内侧侧壁上，且该功函数金属层的最顶侧表面低于该栅极结构的上表面；/n一充填栅极金属层，位于该功函数金属层的最顶侧表面上，且该充填栅极金属层的上表面与该栅极结构的上表面实质上共平面；以及/n一自组装单层，位于该充填栅极金属层与该功函数金属层之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910375551.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体元件的制造方法
- 下一篇：半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
