[发明专利]碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910363080.X | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110473903B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 海老池勇史;香川泰宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供可抑制向栅极沟槽施加高电场而导致的栅极绝缘膜的绝缘破坏的碳化硅半导体装置，该高电场由电场缓和区域的急剧的电压变动引起。漂移层(12)呈第1导电型，设置于碳化硅衬底(11)之上。阱区域(13)呈第2导电型，设置于漂移层(12)之上。源极区域(14)呈第1导电型，设置于阱区域(13)之上。在栅极沟槽(31)设置有包含底部和与底部相连的侧部的内表面，该底部位于比阱区域(13)深的位置。电场缓和区域(16)呈第2导电型，至少具有位于栅极沟槽(31)的底部的下方的部分。浪涌缓和区域(17)呈第1导电型，与栅极沟槽(31)的底部的至少一部分接触，通过电场缓和区域(16)而与漂移层(12)隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 电力 变换 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其具备：/n碳化硅衬底；以及/n半导体层，其设置于所述碳化硅衬底之上，/n所述半导体层包含：/n漂移层，其呈第1导电型，设置于所述碳化硅衬底之上；/n阱区域，其呈与所述第1导电型不同的第2导电型，设置于所述漂移层之上；/n源极区域，其呈所述第1导电型，设置于所述阱区域之上；/n栅极沟槽，其设置有具有底部和侧部的内表面，该底部位于比所述阱区域深的位置，该侧部与所述底部相连；/n电场缓和区域，其呈所述第2导电型，至少具有位于所述栅极沟槽的所述底部的下方的部分；以及/n浪涌缓和区域，其呈所述第1导电型，该浪涌缓和区域与所述栅极沟槽的所述底部的至少一部分接触，该浪涌缓和区域通过所述电场缓和区域而与所述漂移层隔开。/n
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