[发明专利]半导体基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201910355551.2 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384151B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄至伟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体基底及其制备方法。该半导体基底包括：一基部、至少一平台、至少一突起、一绝缘层、一盖层以及一钝化层。该至少一平台从该基部的一上表面延伸；该至少一突起连接到该至少一平台；该绝缘层设置在该至少一突起的上方；该盖层设置在该绝缘层的上方；该钝化层设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁上。该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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