[发明专利]半导体基底及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体基底，包括：

一基部；

至少一平台，从该基部的一上表面延伸；

至少一突起，连接到该至少一平台；

一绝缘层，设置在该至少一突起的上方；

一盖层，设置在该绝缘层的上方；以及

一钝化层，设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁上，其中该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置，

其中该至少一平台中的每一个都包括一顶表面，并且该至少一突起和该钝化层被直接地沉积在该至少一平台中的每一个的该顶表面上并从该顶表面延伸。

2.如权利要求1所述的半导体基底，其中该钝化层的外周边与该至少一平台的一侧壁连续。

3.如权利要求1所述的半导体基底，其中该至少一突起具有一关键尺寸和一高度，该高度大于该关键尺寸的两倍。

4.如权利要求1所述的半导体基底，其中该至少一平台的一宽度在距离该基部的距离增加的位置处逐渐减小。

5.如权利要求4所述的半导体基底，其中该基部和该至少一平台之间的一夹角在90度和105度之间的范围内。

6.如权利要求1所述的半导体基底，还包括围绕该至少一平台和该钝化层的一隔离层。

7.如权利要求6所述的半导体基底，其中该隔离层的一上表面与该盖层的一顶表面共面。

8.如权利要求1所述的半导体基底，其中该基底、该至少一平台和该至少一突起一体地形成。

9.如权利要求1所述的半导体基底，其中该第一膜层和该第二膜层是原子层沉积层。

10.一种半导体基底的制备方法，包括：

提供一支撑基底；

在该支撑基底的上方沉积一绝缘层；

在该绝缘层的上方沉积一盖层；

图案化该盖层和该绝缘层以形成穿透该盖层和该绝缘层的多个沟槽，并且延伸到该支撑基底中，其中剩余的该支撑基底包括一基部和连接到该基部的至少一突起；

在该盖层、该绝缘层和该至少一突起的一侧壁上沉积一钝化层；以及

通过该沟槽蚀刻该基部以在该至少一突起的下面形成至少一平台，

其中该至少一平台中的每一个都包括一顶表面，并且该至少一突起和该钝化层被直接地沉积在该至少一平台中的每一个的该顶表面上并从该顶表面延伸。

11.如权利要求10所述的制备方法，还包括沉积一隔离层以包围该至少一平台和该钝化层。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中在该盖层、该绝缘层和该至少一突起的一侧壁上沉积该钝化层包括：

在盖层的一顶表面的上方、在该基部的一上表面的上方，以及在该盖层、该绝缘层和该至少一突起的一侧壁上沉积该钝化层的一第一膜层；

在该钝化层的该第一膜层的上方沉积该钝化层的一第二膜层；以及

执行一蚀刻工艺以去除设置在该顶表面和该上表面上的该第一膜层和该第二膜层。

13.如权利要求12所述的制备方法，其中该第一膜层和该第二膜层具有至少一个均匀的厚度。

14.如权利要求10所述的制备方法，其中该基部的一表面与该至少一突起的一侧壁之间的夹角实质上等于90度。

15.如权利要求10所述的制备方法，其中该盖层的该图案化以形成穿透该盖层和该绝缘层并且延伸到该支撑基底中的该多个沟槽包括：

在盖层上方涂覆一光刻胶层；

图案化该光刻胶层以形成具有多个开口的一光刻胶图案；以及

去除通过该开口暴露的该盖层、该绝缘层和该支撑基底的部分。