[发明专利]一种高纯石墨坩埚及高质量碳化硅单晶制备方法有效
| 申请号： | 201910350037.X | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110055587B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 路亚娟;刘新辉;牛晓龙;张福生;杨昆 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 071000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高纯石墨坩埚及高质量碳化硅单晶制备方法，属于晶体生长领域。本发明中通过高纯石墨坩埚、碳化硅粉料和生长工艺相结合使得长晶过程原料表面能形成较大碳化硅结晶圆饼来阻挡坩埚底部原料的碳颗粒输运，简便、高效的降低碳化硅单晶生长过程中的碳粒子包裹体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 石墨 坩埚 质量 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯石墨坩埚，其特征在于，所述高纯石墨坩埚内侧底部边缘为内衬；所述内衬采用耐高温、绝热性好的材料制成；所述内衬高为装料高度的1/6～1/4，外径与所述高纯石墨坩埚内径相同，顶部内径与所述外径相同，底部内径为所述高纯石墨坩埚内径的3/5～9/10。
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